第九章半导体存储器.pptVIP

一、扩大 RAM( 如2114 )的位数 要达到这个目的方法很简单，只要把各片地址线对应连接在一起，而数据线并行使用即可，示范接线如下图： D7 A9 A0 R/W CS D1 D3 D2 D0 A9 A0 R/W CS D1 D3 D2 D0 . . . . . . D6 D5 D4 D1 D3 D2 D0 . . . CS R/W A0 A9 2114 (1) 2114 (2) 用(两片2114) 1024 × 4 构成 1024 × 8 二、 增加 RAM( 如2114 )的字数 通过用1024×4 ( 4片2114 ) 构成4096×4为例，介绍解决这类问题的办法。 (1) 访问4096个单元，必然有 12 根地址线； (2) 访问 RAM2114，只需 10 根地址线，尚余 2根地址线 ； (3) 设法用剩余的 2根地址线去控制4个2114的片选端 。 思路： CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 CS R/W A9 A0 D2 D1 D0 D3 2 4 译码器 A11 A10 A0 A9 D3 D2 D1 D0 2114 (1) 2114 (2) 2114 (3) 2114 (4) R/W Y0 Y3 A11 A10 选中片序号 对应的存储单元 0 0 1 1 2114(1) 2114(2) 2114(3) 2114(4) 0000 ~ 1023 1024 ~ 2047 2048 ~ 3071 3072 ~ 4095 0 1 1 0 第九章 结束 数字电子技术 * * 第九章 半导体存储器 §9.1 概述 §9.2 只读存储器( ROM ) §9.3 随机存取存储器( RAM ) §9.1 概述 半导体存储器是由半导体器件构成的大规模集成电路,专门用来存放二进制信息的,是任何数字电路不可缺少的一部分. 按所用半导体器件的不同,半导体存储器分为: 1.双极型-----工作速度快,在微机中作高速 缓存 2.MOS型-----功耗小,因而集成度高.用于大容量存储,如微机中的内存条 (Ultra violet) 1. 只读存储器 Read Only Memory 按存取方式半导体存储器可分为: 1) ROM 2) PROM------programmable 3) EPROM UVEPROM (Erasable) E2PROM (Electrically) 信息可长期保存,断电也不丢失 2.随机存取存储器 Random Access Memory RAM 1) SRAM 静态 随机存取存储 器 (static) 2) DRAM 动态随机存储存取器 (Dynamic) 任何时刻对任何单元都能直接写入或读出 二进制信息,断电后信息就丢失。 3. 顺序存取存储器 Sequential Access Memory SAM FIFO First in First out FILO First in Last out 顺序存取存储器的特点是先入先出或先入后出 §9.2 只读存储器( ROM ) 只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的，因此，只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。 7.2.1 ROM的基本结构及工作原理 ROM主要组成部分： 1. 地址译码器 2. 存储矩阵 3. 输出电路。 Read Only Memory . . . A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 输出电路 存储矩阵 字线 位线 简单的二极管ROM电路 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 位线 A1A0 A1A0 A1A0 A1A0 A1 A0 D3 D2 D1 D0 -VCC 译 码 器 K: 输出控制端 字线 输入任意一个地址码，译码器就可使与之对应的某条字线为高电平，进而从位线上读出四位输出数字量。 +VCC W3 W0 W1 W2 D0 D1 D2 D3 有 MOS 管的单元存储 “0”； 无 MOS 管的单元存储 “1”。 下图是使用 MOS 管的ROM 矩阵： 固定 ROM：在前面介绍的两种存储器中，其存储单元中的内容在出厂时已被完全固定下来，使用时不能变动。 PROM：有一种可编程序的 ROM ，在出厂时全部存储 “1”，用户可