亚微米DSOI+MOSFET非平衡热电耦合模拟.pdfVIP

中【习T程热物媸学会 传热传质学 2004年学术会议 编‘j：043235 I 亚微米DSOMOSFET非平衡热电耦合模拟 段传华梁新刚 北京浦r-人学T程山学系过程节能1o传热强化教育部熏点实验室 北京100084 联系电话(梁新刚) 摘要：DSOIMOSFET是一种新型MOSFET器件。本文利用EOA散射非平衡能量热电耦台模型对其进行 数值模拟．得到了器件静电势、载流子浓度、速度、电子温度、声子温度等分布．综合分析了其热电 性质。数值结果表明非平衡能量状态在亚微米{)SOI酾SFET的确存在．栅极靠量尽是器件热毫特性变 化最厉害的区域。与S01器件相比。DSOI器件自热效应很小．具有很好的热电特性。 EoA 热电耦台1檄I 关键词。DSO女． MosFE曙哔亚微轰 非平段 引言 目前器引：设计者一般只在设计时利川商j{j软件或简单模型对器件的电学特性进行 模拟而把器件的热问题放在整体芯片封装时解决。器件微型化的深入发展带来的热电特 殊现象使这一做法面临较大的考验。以SOl 计成功使得M0sFET器件具有无闩锁效应．源、 漏寄生电容小．容易形成浅结等三个突山的电学 优点．但由丁绝缘层_二氧化硅的存在，其白热效 商1r常严重．更容易导致器件失效甚至烧毁。 DSOIMOSFET是为解决sOl器件白热效应 殴计的另外一种MOSF毫T新型器件【I】。其沟道下 DSOI 方的埋氧层被体硅所代替以强化换热。荚丁这种 图1 MOSFET计算模型结果 器仆热电综合分析的文献很少。由于对弧微米级器件．通过实验准确测量其内部温度分 布1r常困难，数值模拟成为晟为有效的一种分析方式。半导体器件内部电学特性和热学 文利J_}4该模型对DSOIMOSFET进行综合模拟，分析其热电特性，进一步完善器件设计。 皿微米器件内部的能量非平衡 当、p导体器件特征尺寸‘F降到亚微米量级，会有很多特殊的热电现象出现。强电场 就是其中之一，弧微米器件内部电场强度已达102餐级。由于电子在器件内部运动的推 动力(F--o￡3和电子漂移速度(y=pD都跟当地电场强度成正比。电子在这样强的电场 F被加速，具有很高的动蛰和能量．此时的电子称为热电子。电子在品格中被格波散射 可以看作是电子与声子的碰撞。由于龟硅品格中一个原胞有两个硅原子，其声子类型可 以分为光学声子和声学声子两类．光学声子能量略高于声学声子。硅热电子与声子碰撞， ps量级， 导致能弩传递和热餐产生。在砸微米器fL-O，热电子通过导电沟道的时间为1 而根据统计理论计算结果电子与声于能鼙弛豫时间为0．1ps量级。这两相近的时间姑 级表明电子在弧微米器什中与声子发生碰撞而产生能量完全转移的儿率较小。因此，弧 微米器件内部电子和品格存在一个非平衡的能量状态．电子温度要远远高于晶格温度。 l乜子能鼙很高。人部分电子与光学声子发生碰撞进行能量交换。但由于光学声子本身的 群速度为零．不能在、1．导体中传播热量。光学声子将与电子发生碰撞或者迅速衰减为声 学声子。其中后一过程的发生，i主要地位．光学声子把火部分能鼙传给了声学声子。由 丁声学卢子以声速在半导体中传播，它晟终完成了热量的传播过程。 I N型DSOMOSFET散射非平衡能量热电耦合模型 根据电子一光学声子一声学声子两步能量传输机制．在DSOIMOSFET的硅材料区域。 由热力学第一定律和能量流本构关系可导出电子、光学声子、声学声子的能量方程”’： V◆咖尹1 V+壶V“V耻7ch-Top+堂3ka (1) k[,r．上Tr-cp] 知等+老一‘百r．-rp=。