TiNSi3N4纳米多层膜硬度对Si3N4层厚敏感性的研究.pdfVIP

TiNSi3N4纳米多层膜硬度对Si3N4层厚敏感性的研究.pdf

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TiNSi3N4纳米多层膜硬度对Si3N4层厚敏感性的研究.pdf

第43卷 第2期 仓扁学玫 V01.43NO.2 ACTAMETALLURGICASINICA Feb.2007 2007年2月第154—158页 PP.154—158 敏感性的研究 赵文济 孔明 乌晓燕 李戈扬 (上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海200030) 摘 要 显微镜、扫描电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的微结构和硬度,研究了其硬度随Si3N4层厚微小改变而显著变化的原因. niil时被强制晶化为NaCl 结果表明,在TiN调制层晶体结构的模板作用下,溅射态以非晶存在的Si3N4层在其厚度小于0.7 结构的赝晶体,多层膜形成共格外延生长的{111}择优取向超晶格柱状晶,并相应产生硬度显著升高的超硬效应,最高硬度达到 38.5 GPa.Si3N4随自身层厚进一步的微小增加便转变为非晶态,多层膜的共格生长结构因而受到破坏,其硬度也随之降低. 关键词TiN/Si3N4纳米多层膜,外延生长,晶化,超硬效应 中图法分类号0484.4 文献标识码A STUDYoNTHESENSITIVITYoFHARDNESSoF NANo—MuLTILAYERsTo TiN/Si3N4 Si3N4 LAYERTHICKNESS ZHAO Ming,ⅣUXiaoyan,LIGeyang Wenji,KONG State ofMetalMatrix 200030 University,Shanghai KeyLaboratory Composites,ShanghaiJiaotong gyli@sjtu.edu.cn Correspondent:LIGeyang,professor,Tel:r021E-maih NationalNaturalScienceFoundation Supportedby of 062) China(No.50571 received revisedform2006.09—12 2006—05-29,in Manuscript ABsTRACT withdifierentmodulationthicknesseswerereac— TiN/Si3N4nano—multilayers Si3N4 inorderto the ofhardnessof tivelydepositedbymagneticsputtering studysensibility TiN/Si3N4 onthe of N4thickness.Themicrostructureofthe was multilayerschangeSi3 multilayers to withXRD.HRTEMandSEM.Ananoindentorwasintrodu

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