TiN薄膜的循环制备和电学性质.pdfVIP

第20卷第2期 材 料 研 究 学 报 Vbl．20No．2 2O0 CHINESEJOURNAL0FMATERIALSRESEARCH 2006 6年4月 April TiN薄膜的循环制备和电学性质 易万兵·12Is张文杰，，。，。 吴瑾。 邹世昌-，z 1．中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 2．上海宏力半导体制造有限公司上海201203 3．中国科学院研究生院北京100039 Chemical 摘要 用金属有机物化学气相淀积(MetalOrganic Vapor 不同循环制备的、厚度相同的平面薄膜电阻率的比较研究了TiN薄膜的电学性质．结果表明，多次循环会引入界面而增大电阻率， 与薄膜成分和微结构分析的结果一致．得到了单循环的最优厚度以使样品电阻率最低．通过相同循环、不同厚度样品在真实器件中 电学性能的比较，发现介窗(Via)直径越小，TiN薄膜对介窗电阻的影响越大． 关键词 金属材料，TiN，MOCVD，等离子体处理，薄膜电阻 分类号TB383，0484 文章编号 1005—3093(2006)02—0213—04 andelectrical ofMoCVDTiN Preparation properties thinJjilms WUJin2ZOU YIⅥhnbin91，2，3ZHANGWbnjiel，2，3 Shichan91，2+ ond 2DDD5D j．Sh帆g^口t‰stn缸teD，讹cmsⅣstemh加rmo“Dn死c^佗Df09弘C‰neseAcadem可0，Sciences，S^nn夕^oi 2．G7口ce 2Dj2D3 SemtconductDr．^dh几咖ct缸州竹夕Cbr≯or口缸on，·5阮n哪^ni 3．G7，口dt正oteSc^DDfofC巩伽eseAcodemⅣofSc诧几ces，Beiji几9』D0039 revisedform ManuscriDtreceivedJuly11，2005：in January16，2006． 丰Tbwhom 8houldbe corresDondence ABSTRACTTiNf．Imswas bymetaI chemical prepared organic vapor diffbrent onblanketfilmsandtheeIectrical was resuItsshowedthat processes propertiesinvestigated．The fiIm a of was tointroducee×trainterfjces．whichincreases processnluItipIecycIessupposed signif；cantIy