介质壁加速器高梯度绝缘子研制.pdfVIP

第25卷第11期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．25，No．11 2013年11月 HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS Nov．，2013 文章编号： 1001—4322(2013)11—3004—05 介质壁加速器高梯度绝缘子研制。 阿 隆 龙 陈 朱 夏 石 金 水 蝌林卫文 ， 鲈怖 。祥 连吕 扩璐 (1．中国工程物理研究院流体物理研究所，四川绵阳621900； 2．中国工程物理研究院脉冲功率科学与技术重点实验室，四川绵阳621900) 摘 要： 与普通绝缘子相比，高梯度绝缘子(HGI)的金属层与绝缘介质层交替排列结构可以抑制真空沿 面闪络过程，从而提高沿面闪络场强。使用不同绝缘介质材料和金属材料采用不同加工制备工艺制备的HGI 样品其沿面闪络场强差别较大。对所制备的绝缘介质层分别为聚酰亚胺、交联聚苯乙烯和尼龙，金属层为不锈 钢箔，形状分别为圆柱与圆环型的HGI样品进行了真空沿面耐压测试，并对相同尺寸的纯绝缘介质样品进行 了对照实验，得到了不同材料不同制备工艺HGI样品的耐压性能差异。结合样品表面显微照片观察得到的样 品表面状况，分析了影响样品沿面闪络场强的因素。 关键词： 沿面闪络； 高梯度绝缘子； 介质壁加速器； 耐压强度 中图分类号：TM85；TL503文献标志码： A 介质壁加速器(DwA)采用绝缘介质壁作为粒子束传输通道，可使带电粒子获得很高的加速梯度，一般可 达20MV／m，最高可达100MV／m。DWA高加速梯度的实现依赖于高真空沿面耐压的高梯度绝缘子 缘性能直接决定了DWA实际可获得的加速梯度的大小[1]。 HGI是一种新型绝缘技术，与单一材料的常规绝缘子不同，它是由mm量级或更薄的绝缘层与金属层交 替排列堆叠而成，这种结构可以有效地抑制沿面闪络的发生，实验研究发现同等测试条件下HGI的真空沿面 莫尔国家实验室从20世纪90年代开始开展了大量针对高梯度绝缘子的研究工作，在100ns的脉冲宽度下获 得了最高绝缘强度达到约32MV／m的小尺寸HGI样品[4_6]。 中国科学院电工研究所率先在国内开展了HGI的实验研究工作，得到了表面闪络场强超过15MV／m[73 的样品。本文介绍了所研制的HGI样品耐压测试结果，得到了不同材料不同制备工艺HGI样品的耐压性能 差异，获得了最高耐压18．5MV／m的样品，并结合样品表面显微照片观察得到的样品表面状况，分析了影响 样品沿面闪络场强的因素。 1 样品制备 高梯度绝缘子的结构原理上很简单，而工艺实现上却很复杂，虽然国外研究者对HGI所选材料、金属层与 绝缘层厚度比率、制备方法等均有所介绍，但样品制备流程的具体工艺细节并未公开。为此，先试制了圆柱型 样品进行制备工艺与结构优化方面的探索，再试制圆环型样品以获得可以作为束流传输通道的HGI产品。圆 柱型样品的制备方法是将预先成形的金属箔片与绝缘介质薄片交替堆叠起来，相邻两层之间涂覆环氧胶，在成 型模具中进行热压成型，待环氧胶固化后再将样品切割成所需要的尺寸，并对样品表面进行打磨和抛光处理。 起初，圆环型样品采用了在圆柱型样品中间打孔然后对内沿面进行打磨与抛光处理的方式进行制备，耐压 测试发现采用这种方式制备的样品与圆柱型样品相比耐压大幅下降。结合显微分析发现这种制备方式存在严 重缺陷，调整后的圆环型样品制备方案为，先预制好设定尺寸的金属和绝缘介质材料环片，再将环片在模具中 交替垒叠成型，最后进行表面处理。所获得的两种类型样品如图1所示，其中，图1(a)为圆柱型样品绝缘介质 材料为聚酰亚胺，图1(b)为三种圆环型样品绝缘介质材料分别为聚酰亚胺、交联聚苯乙烯和尼龙。 修订日期：2013-09—25 *收稿日期：2013-09—01； 3035004) 基金项目：国防科技工业局核能开发项目；国家自然科学基金重点项目(1 作者简介：何佳龙(1984)，男，硕士研究生，主要从事直线感应加速器技术领域的相关研究；hj