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低电阻率高透过率TAZO透明导电膜的制备及性能.pdf
第29卷第10期 电 子 元 件 与 材 料 Vbl．29No．10
2010年10月 ELECTRoNICCoMPoNENTSANDMATERlALS Oct．20lO
低电阻率高透过率TAZO透明导电膜的制备及性能
史晓菲，郭美霞
(山东理工大学理学院，山东淄博255049)
摘要：利用直流磁控溅射工艺，在水冷玻璃衬底上制备了透过率高、电阻率相对较低的钛铝共掺杂ZnO(TAZO)
透明导电膜．用XRD和SEM等研究其结构、应力和光电性能与靶基距之间的关系．结果表明：TAZO薄膜为六方
纤锌矿结构的多晶薄膜，且具有c轴择优取向．当靶基距为42咖时，薄膜样品晶格畸变最小，具有最小压应力(绝
对值)O．270GPa，同时具有最小方块电阻4．21D／o；靶基距为48mm时，薄膜样品具有最小电阻率3．09x10-4Q·cm．
所有薄膜样品的可见光区平均透过率都超过了91％．
关键词：靶基距；TAZO薄膜；透明导电膜；磁控溅射
中图分类号：1N304．2；，fN304．055文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2010)10．0021．04
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anlland Olof Ti．．AI一
Preparati{propertyproperWtransparenttransparentconducting
SecnzincaoxidetfilmstiwithWithmlow10Wsnaanandrt smittance
resistiviPyhiRh
dstivityhiRh
SHIXiaofei．GUOMeixia
(SchoolofScience，ShandongUniversityofTechnology,Zibo Province，China)
255049，Shandong
Ti-AI zincoxide transmittanceand low
Abstract．Transparentconductingco-doped films(TAZO)withhigh relatively
onwater-cooledsubstrate between
were relation
resistivityprepared glass byIX：magnetronsputteringprocess．The
and ofobtainedTAZOfilmsanddistanceof werestudiedwith
structure，stress
optoelectricalproperties target-substrate
XR
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