作为高介电常数栅介质材料的LaErO3薄膜热稳定性和电学性质的研究.pdfVIP

南京大学学报 自然科学 第45卷第2期 V01．45。No．2 oF UNIVERSITY J URNALNAN儿NG 2009年3月 Mar．．2009 NATURALSCIENCES 业●●々●●●■●●●●●_- ◆先进材料测试及表征专栏七 净净净净净净净净净净净净◆下 作为高介电常数栅介质材料的LaEr03薄膜 热稳定性和电学性质的研究。 张九如1，殷 江2” 1．江苏大学理学院．镇江。212013；2．南京大学物理系。南京，210093 摘要： 采用脉冲激光淀积法在硅衬底上生长了LaEm。薄膜，用X射线衍射仪、X射线电子能谱仪、 高分辨透射电子显微镜研究了该薄膜的热学和电学性质．通过电容一电压测量得到了较好的电容一电 压曲线．计算得出等效SiO：厚度为1．4nm．通过高分辨电镜可以看出即使经过700℃30sNz中快速 热退火处理LaEro。薄膜与硅衬底之间的反应层也仅有几个原子层的厚度．X射线电子能谱分析得到 非常少量的Si0：在沉积的过程中形成．测量的热学和电学性质表明LaEros薄膜是高介电常数栅介质 材料非常有前途的候选材料． 关键词：高介电常数栅介质材料，脉冲激光淀积，薄膜 中图分类号：D484．4+2 Thermal andelectrical of films high一七LaEr03 stability properties 2 Z五口咒gJi“一R“1，Yi行．，i口，zg of 1．schoolscience，Jiangsu University，Zhenjiang，212013，Chim， of 2．DepartmentPhysics，NanjingUniversity。Nanjing，210093，China fiIms onsilicon the咖aI andelectricaI ofthese Abst哺ct：LaEm3were substrates．ThestabiIity prepared properties films characterized resolution were high byusingX—raydiffraction，X—rayphotoelectmnspectroscopy XPS and The curveofthestack wasob— transitioneIectron good Pt／LaE“ 3／Si microscopy HRTEM ．capacity。voltage about thecalculated thicknes$offor was 1．4nm．TheHRTEMim— tained，and equivalent Si02high．kLaEl03“lms oftheheter矿structureshowthatthereexistsaninterfacewithathicknessof8everalatomicfor age LaEr03／Si la rer filmsannealedwithRTA at700℃for30s，inconsistencewiththeresultsofXPSstudies．Theex— LaEr 3 process resuIts that filmisoneofthe candidatesfor materials． perimentalindicateLaE“ 3 promising high．k wor出： laser Key high-k dielectrics，pulseddeposition，film ·收稿日期：2008～1l一05 ¨通讯联系人，E·maiJ：jyin@nju．edu．cn 万方数据 · · 148 南京大学学报 自然科学 第45卷 用高介电常数氧化物去代替传统的Si ： 电极． 作为栅介质材料引起了人们广泛的关注．当 本实验运用X射线衍射研究了薄膜结构， Si z的物理厚度减小到2nm时，将会由于量 高分辨电镜观测了LaEr0。／Si的界面结构，X 子效应导致比如漏电流急剧增大等一系列基本 射线电子能谱分析了界面化学成分．运用HP 问题[1’2]，这些问题使得传统的半导体器件缩4294A和Keithley2400测量了金属一氧化物 nm以下不 放工艺包括使Si0：层的厚度降到1 一半导体 M S 结构的电学性质． 符合现实．采用高介电常数栅介质材料可以在 2实验结果和分析 保持同样电容的前提下通过增加物理厚度减小 隧穿电流[3]．现在稀土元素作为候选材料越来 图1中为N。中不同温度快速热退火处理 越引起人们的关注…．作为有希望的候选材 下的样品X射线衍射图谱．从图中可以看出， 料，氧化铒有高达7．6eV的带宽∞]，而且有较 退火温