偏压对CrAlTi(Ce)N薄膜的制备和性能的影响.pdfVIP

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2015-09-02 发布于湖北
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偏压对CrAlTi(Ce)N薄膜的制备和性能的影响.pdf

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真空科学与技术学报第31卷第1期 CHIp『ESE OFVACUUMSCIENCEANDTECHNOLOGY JOURNAL 2011年I、2月刘兆政1。刘耀辉2佟玉玲1狄驰3 (1．吉林石化公司吉林132021；2．吉林大学材料科学与工程学院长春130025； 3．东北电力大学能源与机械工程学院吉林132012) Influence ofBias onMicrostructures Voltage and ofCrAITi(Ce)N Properties Coatings ’Liu Chi3 ZhaozhengH，LiuYaohui2，TongYulin91，Di (1．JilinParoc删Company，J／／／n132021，Ch／na；2．CollegeofMaterials and Diardi Ctumgchua1300=25，Ch／na；3．Co／蛐eofEnergyMechanical西涮毗，NortheastUmvers缈，埘讥132012，Ch／舳) AbstractTheresultsshowthatthebias affectst11e rateandmicmstructuresofthe voltagesignificantly deposition the colmnnar thesurface instance，three rate，the grainssize，and coating．For quantities，includingdeposition ronghness， decreasewithallincreaseofthebias thebias increasesfrom60Vto100 XRD 1 V，the of(11) voltage．As voltage peak remained 120 wasobservedwith surface orientation and growth sharpclear；atV，amorphousphase fairlyhish preferential densitiesofcratersbutwithoutcolumnar any grains． earthelemem force Ce，Atomic KeywordsMagnetronsputtering，Biasvoltage，Rare microscopy v时，CrAlTi(Ce)N薄膜为非柱状晶结构，CrAITi(Ce)N薄膜表面出现弹坑形状。关键词磁控溅