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具有图形化Al背面反射镜的GaN基LED芯片.pdf

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具有图形化Al背面反射镜的GaN基LED芯片.pdf

华南理工大学学报(自然科学版) 第42卷第8期 JournalofSouthChina of V01.42No.8 UniversityTechnology Science 2014 2014年8月 (Natural Edition) August 黄华茂 胡金勇 王洪+ (华南理工大学物理与光电学院∥广东省光电工程技术研究开发中心,广东广州510640) 摘要:图形化反射镜能提高LED芯片的光提取效率.在蓝宝石衬底背面制备三角周期 Carlo 排列的微米尺寸SiO,圆台形结构,再沉积金属Al,构成图形化反射镜.基于Monte 光线追迹方法的三维光学仿真表明,相比平面反射镜,图形化Al反射镜可使芯片光提取 效率提升7.5%.实验测试结果表明,输入电流为20mA时,相比平面反射镜,图形化A1反 射镜可提升芯片输出光功率8.4%,而芯片的电学性能无恶化.基于有限元方法的二维热 力学仿真讨论表明,图形化反射镜有利于芯片获得更低的温度和热应力,且微结构附近的 应力集中对芯片性能的影响可忽略. 关键词:图形化反射镜;LED芯片;出光效率;热应力 中图分类号:TN312+.8 近年来高亮度发光二极管(LED)发展迅速,已 广泛应用于背光源、显示屏和普通照明等领域.尽管 如此,LED光源的主要问题仍然是高成本与低发光 大约只有4%的光能够从该界面透射.束缚在器件 效率,单位流明/瓦的价格偏高.解决该问题的主要 内部的光最终被半导体材料、有源层以及金属电极 途径之一是提高LED芯片的出光效率…. 吸收,转化为热量.图形化反射镜是增加反射光出射 LED有源层产生光的机制是自发辐射.光在各 机率的有效方法∞。7j.其原理与表面粗化旧j、侧面粗 个方向上随机辐射,使得只有少部分的光从LED芯 化一1、图形化蓝宝石衬底¨0。和微结构增透层¨1‘等 片的正面出射,而大量的光从芯片的底面和4个侧 表面微结构技术类似,通过制备微结构,提高反射光 面逸出.由于LED芯片封装的影响,通常只有正面 进入半导体材料与封装材料分界面逃逸锥的机率. 出射的光能得到有效地利用,而底面和侧面逸出的 xi等。5 光需通过反光杯反射至正面.为了避免芯片与反光 塔阵列,然后蒸镀金属Ag,构成SiO:+Ag金字塔图 杯之间固晶材料对光的吸收,可在芯片衬底的背面 形化反射镜,相比平面Ag反射镜芯片输出光功率 制备反射镜,例如金属反射镜旧j、分布式布拉格反 提升13.9%.Kim等∞o在芯片的蓝宝石衬底背面旋 射镜(DBR)po和全方位反射镜(ODR)HJ.然而,这 涂一层苯并环丁烯(BCB),再采用旋涂悬浮液的技 些反射镜都是平面结构.光从高折射率的半导体材 术在BCB上沉积单层SiO:纳米小球,固化后形成 料向低折射率的封装材料传播时,受全反射效应的 镶嵌在BCB中的纳米尺寸SiO:半球阵列,或者去 nm 掉SiO:纳米球后形成纳米尺寸半球形孔洞阵列,然 限制,只有少量的光能够透射.例如,波长为440 收稿日期:2014—02—27 @scut.edu.cn 万方数据 第8期 黄华茂等:具有图形化Al背面反射镜的GaN基LED芯片 15 后蒸镀金属Ag,构成凹/凸图形化反射镜,相比平面 SiO,微结构,在微结构的底部和弯曲的侧壁发生两 Ag反射镜芯片输出光功率提升30%.Huang等‘7o采 次反射,使得0,0:

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