具有场板结构的AlGaNGaN HEMT的直流特性.pdfVIP

第29卷第3期 半导体学报 V01．29NO．3 2008年3月 JOURNALOFSEMICoNDUCToRS Mar．。2008 具有场板结构的AlGaN／GaNHEMT的直流特性* 魏 珂h’ 刘新宇1 和致经2 吴德馨1 (1中国科学院微电子研究所，北京100029) (2中国科学院半导体研究所，北京100083) 摘要：研制成功具有场板结构的AIGaN／GaNHEMT器件，对源场板、栅场板器件的性能进行了分析．场板的引入减小了 器件漏电和肖特基漏电，提高了肖特基反向击穿电压．源漏间距4“m的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到 上．另外，还初步讨论了高频特性． 关键词：AIGaN／GaN；高迁移率晶体管；肖特基特性；击穿电压；场板结构 PACC：7280EEACC：2570 中图分类号：TN325．3文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2008)03．0554．05 向漏电减小，并对高频特性进行了初步测试，这对以后 1 引言 的器件应用具有实际意义． 2．器件结构及工艺 近几年来，基于GaN的功率器件HEMT和HBT 已在高频、大功率、高温、高压等领域取得了巨大进展． 器件采用的材料结构如图1所示，二维电子气存在 GaN的禁带宽度达到3．4eV，其理论击穿场强可以达 到107V／cm量级，在高频大功率应用方面非常具有潜 GaN为缓冲层，电子浓度大约为1．1×1013cm～，电子 力[1。]，国内也有相关的报道[3“]． 对GaN功率器件，击穿电压是一个很重要的性能 体研究所和物理研究所提供． 指标，由于功率的输出和击穿电压有密切关系，因此，提 AlGaN／GaN 高击穿电压是提高功率器件输出功率，增大功率密度的 重要措施． 6．2X 场板结构(fieldplate)最早应用于GaAs器件哺]， 钝化(SiN 场板是用新增加的栅来改变栅极边缘耗尽层边界的弯 工艺． 曲程度，改变耗尽层中电场分布，以达到提高击穿电压 场板结构就是在做完栅以后采用厚度为100nm的 。的目的．对于GaNHEMT器件而言，采用场板结构能 SiN钝化，再刻蚀通孔，蒸发一次栅金属做为场板金属， 大幅度提高器件击穿电压，又能一定程度抑制电流崩 塌，从而提高器件功率密度、功率附加效率(PAE)；另外 示．由于场板电势与AIGaN耗尽层电势不等所以产生 场板结构在工艺上容易实现，只需再增加一块场栅板． 垂直表面的纵向电场，可以改变AIGaN耗尽层内电场 近来，将场板结构应用于GaN功率器件已经成为一个 分布． 趋势．目前，采用场板结构的HEMT其输出功率密度已