冷冻靶制备中辅助加热的理论和数值分析.pdfVIP

第20卷第8期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．20，No．8 2008年8月 HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMS Aug．．2008 文章编号：1001-4322(2008)08-1279-04 冷冻靶制备中辅助加热的理论和数值分析。 杨晓虎1， 徐 涵2， 田成林1， 银 燕1， 卓红斌2 (1．国防科学技术大学理学院，长沙410073t2．国防科学技术大学计算机学院。长沙410073) 摘要： 为了补偿惯性约束聚变(ICF)冷冻靶冷却过程中非球对称腔体的热流分布．通常在冷却的同时 在腔外壁上施加辅助加热．在间接驱动靶中建立了l维热传导理论模型．分析所需辅助热流密度．同时在2维 轴对称模型下．利用计算流体力学的FLUENT程序，对辅助加热机制进行了热力学模拟。当把辅助加热设在 腔外壁的中平面上下各1．3mm的范围时。得到了最佳辅助热流密度为635W／mz．与理论结果基本一致。 关键词：惯性约束聚变；冷冻靶；热传导；辅助加热；数值分析 中圈分类号：0532．13I0411．3 文献标志码：A 冷冻靶已成为国际上实现ICF点火的首选靶型[1剖。为了实现间接驱动点火，氘氚(DT)冷冻靶的质量均 匀度必须大于99％，且内表面均方根粗糙度要小于1肛m，才能消除瑞利一泰勒(R-T)不稳定性的发展对聚变靶 造成的破坏。对于碳氢聚合物作为烧蚀层的冷冻靶，数值分析表明【5]；要形成均匀分布的DT层，需将烧蚀层 周围的温度变化控制在0．1×10_3K以下。因此，为了确保靶丸表面温度均匀分布，必须严格控制冷冻装置中 的温度分布。通常的工程中，ICF的间接驱动冷冻靶制备装置是一个圆柱状的空腔，研究表明睁叼：通过调整冷 却环的位置、冷却速度及增加热屏蔽等措施，尚不足以得到满足点火要求的靶表面温度条件，而考虑在冷却靶 丸的同时，在腔体外壁上施加合适的辅助热流量，可以抵消腔内气体的热阻随距离增加及两端激光人口处的黑 体辐射所带来的影响，从而极大地减小了靶的温度扰动，得到能够满足ICF点火要求的均匀靶。因此，为了使 靶丸表面的温度均匀化，本文建立了腔内温度分布的1维热传导模型，分析了影响热流量分布的各种因素，利 用流体力学的FLUENT程序，在2维轴对称模型下，研究了不同辅助热流密度下靶表面的温度分布和变化。 1理论模型 本文采用的冷冻靶制备装置构型和靶尺寸以法国的兆焦激光装置LMJ为原型睁，该冷冻靶装置为一个 柱形腔体，靶丸由聚合薄膜支撑在腔体的中心位置，且腔体外围罩有一个铝制的防护罩，并直接连接在制冷源 上，防护罩内为真空环境。冷冻靶的制备采用p分层技术‘蛉n]，该技术是利用氚的p衰变产生的自加热过程来 实现冷冻层的均匀分布，因其自发特性，实现相对简单，已逐渐成为mrfl尺度的大型含氚冷冻靶制备的主流技 术‘w]。 一 为了得到合适的辅助加热功率，首先假设靶丸是处在无限 大的空间中进行冷却的，且认为当靶球外表面处在球对称等温 环境中时，DT内表面温度可以均匀化，因此，在理论推导中，简 化为圆柱形腔中存在一个球形内热源的问题，只需研究如何使 靶球外表面的温度分布达到均匀即可。 图1为冷冻靶制备装置化模型，走。为腔内填充气体的热传 导系数，志“为腔壁的热传导系数，则稳态时由于氚的口衰变单 №J 位时间内从靶丸流出的热流量可表示为乜] Thc图or。eⅡ：嚣嚣基：hohh岫 西=一屯SdT／dr (1) 式中：S=4，【户为球面的表面积，r为以靶丸中心为原点的径向半径。气体中径向温度分布为 聃)=T(rc)一彘(吉一手) (2) -收稿日期．2008-01—22,修订日期·2008-07—07 基金项目：国家高技术发展计划项目}国家自然科学基金项目10555030 作者简介：杨晓虎(1983一)，男．硕士研究生．主要从事ICF冷冻