内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序.pdfVIP

第24卷第5期 半 导体学报 v。1．24，N。．5 2003年5月 cHINESEJ0uRNALOFsEMIcoNDucTORsMay，2003 内嵌设备模型的离子注入工艺模拟程序 李 煜 李瑞伟 王纪民 (清华大学微电子学研究所，北京lO0084) 摘要：以离子注入工艺为例，通过研究沟道效应对离子注入工艺的影响，提出了建立设备模型的必要性，并且编程 加以实现． 关奠词：设备模型；工艺模拟；离子注入}沟道效应 EEACC：2220C；2550X 77(2003)05—0556一05 中圈分类号：TN305 文献标识码：A 文章编号：0253—41 入能量决定的，但离子束相对于硅片晶向的注入角 l概述 度对离子注入的深度也有一定影响，有些情况下，影 响是相当大的．根据器件工作的需要，硅片表面通常 现代集成电路技术中，工艺模拟无论对于工艺 是垂直于主晶轴的．入射离子进入单晶后的运动，可 的研究与开发还是对集成电路产品的工艺设计都具 分为两种情况：一是沿着晶轴方向运动，在晶格空隙 有重要的意义．在众多的集成电路工艺中，离子注入 中穿行，只受到电子散射，损失能量，不改变方向，好 工艺以其良好的可控性和灵活性，已成为一种重要 像在沟道中运动一样，这种离子可以走得很远，成为 的、不可缺少的掺杂工艺．比较常用的离子注入工艺 沟道离子；另一类离子运动方向远离晶轴方向，因此 模型包括蒙特卡罗模型、双皮尔森模型等”“]．而在 它们常常与晶格相碰撞而损失较多能量，它们走的 集成电路工艺的发展中，设备又起着十分重要的作 路径也较短，同离子在非晶靶中运动相似．与非沟道 用，但在目前的工艺模拟中，往往采用的是统一的、 离子相比，沟道离子的能量损失较低，因而其深入距 简单的工艺模型，而忽视了不同设备对工艺的不同 离比非沟道注入离子的射程大得多，可以是在无定 影响．这就可能使模拟结果与实际工艺有较大的偏 型硅中注入射程的几倍，这就是离子注入的沟道效 差，且不能模拟工艺的分散性和流片成品率．为了对 应． 此加以改进，需要在工艺模拟中加入设备模型．加入 为了减小当注人角度有偏差时，由于沟道效应 设备模型的工艺模拟与简单工艺模拟的主要区别在 而造成的注入深度非均匀性，通常使注入方向与硅 于：(1)设备模型可根据设备的实际情况修正简单模 片主晶轴有一个7。的倾角． 拟的工艺模型与条件；(2)设备模型可以模拟硅片上 工艺结果的分布与均匀性，这种功能在传统的工艺 3设备模型和离子注入均匀性模拟程 模拟软件中是没有的．本文介绍了离子注入设备模 型的建立方法，并且结合数据库技术，在VB6．o环 序 境下编程实现了离子注入结深非均匀性分布的自动 模拟显示．