利用Alq3掺杂在NPB中制备白光OLED.pdfVIP

光电子·嫩并 of V01．19No．3Mar．2008 第19卷第3期2008年3月 Journal Optoelectronics·Laser 利用舢q3掺杂在NPB中制备白光OLED* 王 津2，丁桂英2，韩 强2，刘式墉3 静k3一，姜文龙2，王广德2，王立忠2，汪 (1．啥尔滨工业大学(威海)信息科学与工程学院，山东威海264209；2．吉林师范大学信息技术学院，吉林四平 136000；3．吉林大学集成光电子国家重点联合实验室，吉林长春130012) 摘要：利用～q3掺杂在NPB中作为空穴传输层，并以DPVBi和rubrene作为发光层，制备了多层的白光有机发 光器件(OLED)。与在同一条件下的对比器件相比，掺杂的器件在相同电压下亮度和效率都有所增加。掺杂的 V 器件的最大亮度在17V时达列了19921ed／稃，最大效率在7V时达到了3．69ed／A，色坐标(CIE)在5～16 内几乎没有改变，我们认为，掺杂器件性能的提高是由于掺杂剂Aloa分子对空穴有散射作用，阻挡了部分空穴 的传输，降低了空穴的迁移率；而～q3又是很好的电子传输材料，Alqa掺杂提高了空穴和电子在发光层中的注 入平衡，有利于激子的形成，从而提高了器件的性能。 关键词：掺杂；有机电致发光器件(01，E【))；自光；多层结构 中图分类号：TN383+．1文献标识码：A 文章编号：1005-0086(2008)03一0293-03 ThewhiteOLEDwere the inNPBhole producedusingdoped舢q3 transportlayer WANG Jinga’3’。，JIANGWen-lon92，WANG Li-zhon92，WANGJid， Guang-dez，WANG DING Gui-yin矛，HANqiangz，LIUShi-yonga (1．HarbinInstituteof at Weihai TechnologyWeihai；InformationScience＆EngineeringCollege 264209，China； 2．ElectronicInformationand Normal University，Siping136000，China；3．National EngineeringDepartment。Jilin of LaboratoryOntegratedOptoeleetmnics，JilinUniversity，Changehun130023，China) have a whiteemissiondevice the inholetransmissionofN1)B， Abstract：Wedesignedmultilayer byusingdopedAlq3 layers DPVBiandrubreneware withthecontro