单靶磁控溅射Cu1-xCrx(x=1.19~2.37)薄膜的制备.pdfVIP

单靶磁控溅射Cu1-xCrx(x=1.19~2.37)薄膜的制备.pdf

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单靶磁控溅射Cu1-xCrx(x=1.19~2.37)薄膜的制备.pdf

第16卷第11期 中国有色金属学报 2006年11月 V01.16No.11 The ofNonferrousMetals NOV.2006 ChineseJournal 文章编号:1004—0609(2006)11—1876一06 王新建,姜传海,王家敏,洪 波 (上海交通大学材料科学与工程学院高温材料及测试教育部重点实验室,上海200030) 摘 研究不同名义成分的合金靶材得到的溅射态薄膜的成分、电学性能、组织结构及表面状态。研究结果表明:利用 简易合金靶材制备的Cu。…Cr薄膜成分可控。Cr的加入增强了溅射态薄膜的(111)织构,且随着薄膜厚度的增 加,(111)织构增强;855 射态薄膜的表面状态(平整性和致密度)和电阻率;随着Cr含量的增加,前者呈现先升高后下降的趋势,而薄膜电 阻增加;Cu一2.18%Cr薄膜由于应力增加局部产生微裂纹,薄膜连续性下降。并从薄膜生长动力学以及自由能的 角度对上述结果进行了初步的阐述。 关键词:Cu,…Cr薄膜;磁控溅射;溅射态;织构 241.1 文献标识码:A 中图分类号:TM of Preparation by magnetronsputteringsingletarget Bo WANG Chuan—hai,WANGJia-min,HONG Xin-jian,JIANG of ofEducationfor Materialsand (KeyLaboratoryMinistry HighTemperature Testing, SchoolofMaterialsScienceand Jiao Engineering,ShanghaiTongUniversity, 200030,China) Shanghai onthe films(x=1.19—2.37,molefraction,%)were Si(100)substrate Abstract:Cul--xCk deposited bymagne— tron a concentration,electrical and sputteringusingsinglealloytarget.The resistivity,microstructuremorphology Crconcentrationwere resultsshow the offilms withdifferentnominal that depositedbytargets investigated.The concentrationsoffilmsare intensifiesthe(1l1)texturewhichincreaseswith thi

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