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双AIN插入层法在Si图形衬底上进行AIGaNGaN HEMT的MOCVD生长.pdf
V01．34
第34卷第41111 长春理工大学学报(自然科学版) No．4
Journal ofScienceand ScienceEdition) Dec．201l
2011年12月 ofChangchunUniversity Technology(Natural
双AIN插入层法在Si图形衬底上进行
AIGaN／GaN
HEMT的MOCVD生长
刘纪美2
王勇1’2，余乃林2，王丛舜2
(1．长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春130022；
2香港科技大学电子及计算机工程系光电子中心，香港)
HEMT的生长特性被讨论和
入层用来释放GaN外延层和Si衬底之间由于晶格失配和热失配而产生的张应力。AlGaN／GaN
分析。在使用优化的双AlN插入层之前，可以在图形[1—100]方向观察到比[11—2。]方向更多的由于应力而引起的裂
试显示在图形凹角处比凸角处有更大的拉曼频移，证明在图形凹角处有更大的张应力。
关键词：金属有机物化学气相沉积；AlGaN／GaN高迁移率晶体管；Si图形衬底；双A1N插入层
中图分类号：$482．3 文献标识码：A 文章编号：1672—9870(20l1)04-0009—04
GrowthCharacteristicsofmG州／GaN
HEMTsonPatternedSiSubstratesDouble
Using
A1N MOCVDMethod
interlayers
by
WANG YU Jimei2
Nailin2，WANG
Yon91·2 Congshun2，LIU
I。ab Semiconductor ofScienceand
(1．National Power
Key Oil_High Lasers，ChangchunUniversity Technology，
of and
130022；2．Photonics Electronic
Changchun Center，DepartmentComputerEngineering，
Technology
Hong ofScienceand Water
KongUniversity Technology，ClearBay，Kowloon，HongKong)
Abstract：AIGaN／GaNelectron
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