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合成ZnO纳米阵列及刺突状CuOZnO异质结.pdf
物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
April Acta Phys. -Chim. Sin. 2015, 31 (4), 783-792 783
[Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201502062
合成ZnO 纳米阵列及刺突状CuO/ZnO 异质结
李湘奇1 范庆飞1 李广立1 黄瑶翰1 高 照1
范希梅1,* 张朝良2 周祚万1
1
( 西南交通大学材料科学与工程学院, 材料先进技术教育部重点实验室, 成都610031;
2 四川大学华西口腔医院, 口腔疾病国家重点实验室, 成都610031)
摘要: 采用低温水热法在掺氟SnO2 (FTO)导电玻璃表面制备ZnO 纳米阵列, 研究了前驱体溶液浓度摩尔配
比对ZnO 纳米阵列形貌、光学性能及其生长机理的影响. 研究发现, 随着前驱体溶液浓度摩尔配比的增加, ZnO
纳米阵列形貌及光学性能也随之变化. ZnO纳米阵列高度逐渐降低, ZnO 纳米阵列直径和光学带隙值大体上出
现先增大后降低的趋势. 而当前驱体溶液(Zn(NO ) :环六亚甲基四胺(HMT, C H N ))浓度摩尔配比为5:5 时, 其
3 2 6 12 4
光学禁带值(3.2 eV)接近于理论值. 结果显示制备ZnO 纳米阵列的最优浓度摩尔配比为5:5. 随后选用最优浓
度摩尔配比下制备的ZnO 纳米阵列为基底, 通过一种两步溶液法成功在其表面制备刺突状CuO/ZnO 异质结.
从场发射扫描电镜(FE-SEM)结果中可以清楚看见, 大量的CuO 纳米粒子沉积在ZnO 纳米阵列表面形成刺突
状异质结结构.研究发现该CuO/ZnO 纳米异质结相对于纯ZnO 纳米阵列在紫外光下光催化性能明显增加. 最
后, 讨论了CuO/ZnO 纳米异质结光催化机理.
关键词: ZnO 纳米阵列; CuO/ZnO 异质结; 水热法; 光学性能; 摩尔比
中图分类号: O645; O611
Syntheses of ZnO Nano-Arrays and Spike-Shaped
CuO/ZnO Heterostructure
LI Xiang-Qi1 FAN Qing-Fei1 LI Guang-Li1 HUANG Yao-Han1 GAO Zhao1
FAN Xi-Mei1,* ZHANG Chao-Liang2 ZHOU Zuo-Wan1
1
( Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education, School of Materials Science and Engineering,
Southwest Jiaotong University
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