含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究.pdfVIP

第41卷第5期 人 工 晶 体 学 报 v。1．41No．5 含Ti电极的非晶钛酸锶薄膜的阻变开关特性研究 闰小兵1，史守山1，贾长江1，张二鹏1，李钗1，李俊颖1，娄建忠1，刘保亭2 (1．河北大学电子信息工程学院，保定071002；2．河北大学物理科学与技术学院，保定071002) 摘要：采用射频磁控溅射法制备Ti金属薄膜作为反应电极，结合脉冲激光沉积法在Pt／Ti／Si衬底上制备了Ti／tE晶一 mV的小电压钡[i量处于 SrTiO，。(STO)／Pt结构的阻变存储器件单元。器件的有效开关次数可达200次以上。利用5 S以后，两种阻态的电阻值均没有明显的变化，说明器件具有较好的保持 高低阻态的器件电阻，发现在经过3．1×105 特性。器件处于高阻态和低阻态的电阻比值可达100倍以上。在9mA的限制电流下，器件的低阻态为500n，有利 于降低电路的功耗。氧离子和氧空位的迁移在阻变开关中起到重要的作用，界面层Tiq发挥着氧离子库的作用。阻 变开关机制归因为导电细丝(Filaments)的某些部分出现氧化或者还原现象，造成导电细丝的形成和断开。 关键词：阻变开关；STO；Ti反应电极；开关机制；脉冲激光沉积 中图分类号：0484 文献标识码：A on CharacteristicofResistive InvestigationMemory Switching in withTiElectrode AmorphousSrTi03一占Films YAN Shou．shanl，JIA Chail， Xiao—bin91，SHI Chang-jian91，ZHANGEr-pen91，LI U Jian—zhon91。LIUBao—tin92 Jun．yin91，LOU andInformation ofElectronic 071002，China (1．College Engineering，HebeiUniversity，Baoding of Scienceand 2．CollegePhysics Technology，HebeiUniversity，Baoding071002，China) 9 2012) (Received9April2012，acceptedAugust electrode resistive metalfilmswere asreactive Abstract：Ti sputteringtechnique，and grown bymagnetron cellsof werefabricatedonPt／Ti／Sisubstrates