SiON钝化膜对硅衬底氮化镓绿光LED可靠性的影响.pdfVIP

第32卷 第6期 发 光 学 报 Vo1．32 No．6 20I1年 6月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Jun．．2O11 文章编号：|000—7032(2011)06-0603—05 SiON钝化膜对硅衬底氮化镓绿光LED可靠性的影响 邱 虹，刘军林 ，王 立，江风益 (南昌大学 国家硅基 LED 【程技术研究中心，江西 南 昌 330047) 摘要：研制了4种不同表面钝化类型Si衬底GaN基绿光LED，分别标记为样品A、B、C、D。样品A无钝化 层，样品B为台面SiON钝化，样品C为侧面SiON钝化 ，样品D为台面和侧面均钝化。将4种样品进行了常 温60mA(电流密度 312A／cm。)下 168h的加速老化，并对 比了老化前后的 ，_p和光衰等特性。结果表明：侧 边的SiON钝化层可有效抑制有源区内非辐射复合缺陷的增加，从而有效降低器件老化后的漏电流和光衰。 与台面上的SiON相比，侧边的SiON对钝化起到了决定性作用。