ZnO纳米线阵列／p-Si异质结的合成及其整流特性.pdfVIP

第43卷第3期 郑 州 大 学 学报(理 学版) Vo1．43No．3 2011年9月 J．ZhengzhouUniv．(Nat．Sci．Ed．) Sep．2011 ZnO纳米线阵列／pS·i异质结的合成及其整流特性 程 萍， 田永涛， 王文闯， 徐玉睿， 何 豪， 王新昌， 李新建 (郑州大学 物理工程学院 材料物理教育部重点实验室 河南 郑州450052) 摘要：利用化学汽相沉积 ，在没有催化剂的p—si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列，构成ZnO阵列／p—si异质结．电 流一电压性能测试显示该结构具有较好的整流特性 ，漏电流较小，4v时约为o．05mA．异质结理想因子偏高，1．86 (0．5—2．25V)和5．92(在2．25—2．7V)，主要原因可能ZnO纳米线阵列底与si之间存在较高的缺陷密度．提供了 一 种简单的合成ZnO阵Y~]／p-si异质结方法，不需要在si衬底上预先合成ZnO缓冲层和催化剂，同时结构具有较 好整流性能，对ZnO器件的设计合成及应用有一定的参考价值． 关键词：ZnO阵列；异质结；CVD法；整