半导体陶瓷型薄膜气敏传感器研究进展.pdfVIP

( ) 4 功　能　材　料　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　2004 年第 1 期 35 卷 半导体陶瓷型薄膜气敏传感器的研究进展 杨志华 ,余 　萍 , 肖定全 ( 四川大学 材料科学系 ,四川 成都 610064) 摘 　要 : 　半导体陶瓷型薄膜气敏传感器 ,具有灵敏度高、与气 括 :常用到的基片有三氧化二铝[ 3 ] 、康宁 7059 玻璃[ 3 ] 、蓝宝 体反应快、制备成本较低等优点 , 已经成为近年传感器研究和开 石[ 4 ] 、硅[ 5 ] 、陶瓷玻璃[ 2 ,3 ] 等。 发的重点 ,是未来气敏传感器的发展方向之一。本文介绍了陶 瓷型半导体薄膜气敏传感器常见的器件结构、薄膜材料的主要 制备方法 ,部分主要的半导体金属氧化物薄膜气敏材料 , 以及近 期相关的研究进展 ,并扼要分析了今后的发展方向。 关键词 : 　薄膜 ;气敏传感器 ;半导体金属氧化物 ;陶瓷 中图分类号: 　O484. 1 　　　　文献标识码 :A 文章编号 (2004) 图 1 　薄膜气敏器件的截面结构图[ 2 ] (垂直方向做了一些扩大) 1 　引 　言 Fig 1 Schematic diagram of thin film gas sensor[ 2 ] ( The vertical axis 1962 年 , T. Seiyama 等[ 1 ] 发现当气体吸附在半导体表面后 , is extended) 半导体表面电阻会发生变化。从那时以来 ,人们就展开了以半 　　电极通常选取 Pt 、Ag 、Au 等贵金属 ,在贵金属中 Ag 的功函 导体材料对气体吸附现象为中心的基础研究工作。到 20 世纪 数最小 ,且在空气中在较高的温度下也能保持稳定 ;如果要使电 60 年代 ,人们的相关研究开始转向以应用为重点 , 以实用化为 极和薄膜间形成欧姆接触 ,应选择 Au 电极,当薄膜的初始电阻 目的的气敏器件的研制阶段。 即未通气体时的电阻 1MΩ时 ,Au 电极在比较大的电压范围 人们可以制成不同结构的半导体气敏器件 ,如烧结体型、厚 内能与薄膜保持欧姆接触, 电极通常用真空蒸发法、电子束蒸发 膜型、薄膜型等 ,其中烧结型和厚膜型的半导体气敏器件已经实 法等方法镀上去。 现了商品化 ,而薄膜型气敏器件由于薄膜沉积工艺等限制因素 上面介绍的薄膜传感器结构尽管简单、可靠、灵敏度高 ,但 还未实现规模化应用。不过 , 由于薄膜型气敏器件具有许多优 其工作温度一般在 300 ℃左右 ,器件功耗在 500 ～1000mW 之 点 ,如对气体具有高的探测灵敏度、响应时间快、制备成本较低、 间 ,这种结构不利于与半导体 IC 工艺集成 ; 虽然采用掺杂、催 易于小型化 ,适于制备微型传感器 ,通过集成电路技术可以用作 化、选择最佳工作温度等方法可以改善单个传感器的性能 ,但无 法从根本上解决问题。 ( ) 小型电子器件 如电子鼻 等 , 已经成为近年来传感器研究的重