光电薄膜SnS的制备和其性能.pdfVIP

第 26 卷 　第 6 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 6 2005 年 6 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J une ,2005 光电薄膜 SnS 的制备及其性能 1 ,2 2 2 1 程树英 　黄赐昌 　陈岩清 　陈国南 ( 1 福州大学化学系 , 福州 　350002) (2 福州大学电子科学与应用物理系 , 福州 　350002) 摘要 : 在溶液的p H = 27 ,离子浓度比 Sn2 + / S O2 - = 1/ 5 和电流密度 J = 30mA/ cm2 的条件下 ,用阴极恒电流沉 2 3 积法在 ITO 导电玻璃基片上制备出了 Sn0. 995 S1. 005 膜层 ,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌 ,发现其颗粒较均 匀 ,粒径大小在 200～800nm 之间. 用 X 射线衍射分析了其物相结构 ,表明它是具有正交结构的 Sn S 多晶薄膜. 通 过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱 ,计算得到其直接禁带宽度 Eg = 123eV . 用四探针法测得其导电类型为 p 型 , 电阻率为 75Ω ·cm . 关键词 : 电沉积 ; Sn S 薄膜 ; 光电性能 PACC : 7360 F ; 7360 P ; 7865 中图分类号 : TN 304 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 的工艺参数为[7 ] : 溶液 的 p H = 27 , 离子浓度 比 Sn2 + / S O2 - = 1/ 5 和电流密度 J = 30mA/ cm2 . 本 1 　引言 2 3 文进一步用上述工艺参数制备 Sn S 薄膜 ,对制备出 近些年来 , 正交 晶系 的 Ⅳ Ⅵ族半导体化合 的几个薄膜样品进行结构及表面形貌的分析 ,并测 ( ) 量了样品的光电性质. 物 ———硫化亚锡 Sn S , 因其在光伏器件方面有潜 在的应用前景而引起材料科学界的广泛注意. Sn S 的直接禁带宽度 Eg ≈13eV ,接近太阳能电池的最 2 　电沉积 SnS 薄膜的机理 佳禁带宽度 15eV ;在理论上其能量转换效率达到 α 4 - 1 根据电化学原理 ,两种元素电化学共沉积的基 25 % ;吸收系数 10 cm ,用于做太阳电池材料 消耗少 ,还可固体化 、薄膜化 ; 其组成元素 S 和 Sn 本条件是它们的沉积电位相等 , 因而 Sn 和 S 要在 在地球上储量丰富、廉价 、无毒 ,有很好的环境相容