MOCVD法制备ZnO薄膜正交试验设计.pdfVIP

SEM ICONDUCTOR 0PTOELECTRONICS Vo1．29No．5 Oct．2008 MOCVD法制备 ZnO薄膜的正交试验设计 李香萍 ，张宝林 ，申人升。，董 鑫 ，杜国同 (1．吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子国家重点实验室，吉林 长春 130012； 2．大连理工大学 物理与光电工程学 院 三束材料改性 国家重点实验室 。辽宁 大连 116023) 摘 要： 采用低压～金属有机化学气相沉积 (MOCVD)技术 ，结合正交试验设计，在 (i00)P— Si衬底上制备 了高质量的ZnO薄膜。用室温光致发光研究了不同生长参数对 ZnO薄膜光学质量 的影响。通过正交分析法对所得样 品相关特征指标 的分析 ，得到生长温度 、锌源温度和氧气流量 3 个独立工艺参数对薄膜光学质量的影响。结果表 明，生长温度对薄膜光学质量的影响最大，其余依 次为氧气流量和锌源温度，同时，通过分析还得到了最佳组合工艺。结合面探 X射线衍射仪 ，分析 了薄膜的结晶质量，发现在优化 的工艺条件下制备 出的ZnO薄膜具有较好的结晶质量。 关键词 ： 金属有机化学气相沉积；正交试验设计 ；氧化锌 中图分类号 ：TN304 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—5868(2008)05—0700—05 OrthogonalDesign forFabricationofZnO ThinFilmsbyM OCVD LIXiang—ping ，ZHANG Bao—lin ，SHEN Ren—sheng ，DONG Xin ，DU Guo—tong’ (1．StateKeyLaboratoryon IntegratedOptoelectronics，CollegeofElectronicScienceandEngineering，JilinUniversity， Changchun 130012，CHN；2．StateKeyLaboratoryforM aterialsM odificationbyLaser，Ion，andElectronBeams， SchoolofPhysicsandOptoelectronicTechnology，DalianUniversityofTechnologyandScience，Dalian116024，CHN) Abstract： Basedonorthogonaldesign，ZnO filmswerepreparedbyM etalOrganicChemical VaporDeposition(MOCVD) on (100) P—Sisubstrate．Mathematicalstatisticalmethod was employed to analyze the experimental results derived from optical measurements with photoluminescencespectrameasurementsystem．Dependencesofthefilms’opticalpropertieson threemainfactorsofgrowth temperature，Zn sourcetemperatureandflow rateofoxygenwere investigated，respectively．Thecomprehensiveoptimalfabrication condition ofZnO filmswas obtainedaswellultimately，that is630 。C forgrowth temperature，一 18 。C for Zn source temperature，and200sccm forflow rateofoxygen．TheresultofX—raydiffractionindicatesthat thefilmsgrownundertheoptimizedconditionshasgoodcrystalquality． Keywords： metalorganicchemicalvapordeposition；o