Levinson公式在ZnO薄膜晶体管上应用.pdfVIP

Levinson 公式在 ZnO 薄膜晶体管上的应用1 姚绮君，李德杰 清华大学电子工程系 （100084 ） E-mail ：yqj01@ 摘 要：本文将用于多晶材料薄膜晶体管的 Levinson公式应用在 ZnO 薄膜晶体管上，采用 简单的曲线拟和，取得了和实验数据较为吻合的结果，并得到了一些反映 ZnO半导体层性质 的数据。 关键词：薄膜晶体管；氧化锌；建模 1. 引 言 国内外近期报道了一些以ZnO 薄膜作为有源层的薄膜晶体管（thin film transistor, TFT ） 的初步结果[1] 。这类薄膜晶体管相比于传统的非晶硅TFT，具有透光好，受光辐射影响小， 导通电流大的特点，而相比于多晶硅 TFT ，制作成本和难度都较低，有望在机电致发光 [2] [3] （OLED ） 和场发射（FED ） 显示器件中得到应用。 为将 ZnO TFT 技术应用于不同的器件中，对 TFT 特性的深入理解和数学建模都具有重 要的意义。本文将用于多晶材料 TFT 的Levinson 公式[4]应用在 ZnO TFT 上，取得了和实验 数据较为吻合的结果，并得到了一些反映 ZnO 半导体层性质的数据。 2. 基本公式 Levinson 公式最早由 J. Levinson 等人导出并应用在 CdSe 薄膜晶体管中。公式假设多晶 态薄膜晶体管的半导体层由一串同样大小的晶体颗粒构成的，晶粒间的晶隙处存在电子势 垒。在薄膜晶体管中当栅压增加时，电子被吸引到势垒区使势垒变小，从而提高了电子在膜 层中的迁移率。当掺杂施主全部电离，且没有被晶隙的陷阱完全耗尽时，经过计算可以得到 势垒的高度为： qNt2 LC V =− (1) b 8εε (C V / q +N L ) 0 S OX GS D C 公式中 Nt 是晶隙的杂质面浓度，N 是半导体掺杂浓度，L 是纵向电场穿透深度，ε 、 D C 0 εs 、COX 、VGS 分别是真空介电常数、半导体层相对介电常数、绝缘层单位面积电容、栅极电 压。 假设载流子都是靠热激发通过势垒，载流子的迁移率可以看成随势垒高度呈指数变化。 器件的漏极电流大小在漏极电压很小的情况下可以大致使用下式来表达： W I qµ (N L =+C V / q)V exp(qV / kT ) (2) D b D C OX GS DS b L 1 本课题得到高等学校博士学科点专项科研基金(20020003101)资助。 - 1 - 其中 µb 是没有晶隙势垒时膜层中的载流子迁移率，W/L 、VDS 、T 分别是沟道的宽长比、 器件漏极电压和环境温度。 现在令： W A µV C b DS OX L C N L q / C D C OX