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第 26 卷 第 3 期 半 导 体 学 报 Vol . 26 No . 3
2005 年 3 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Mar . ,2005
常压 MOCVD 生长的 ZnO 薄膜的电学性能
周 鹏 王 立 方文卿 蒲 勇 戴江南 江风益
(南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心 , 南昌 330047)
( )
摘要 : 利用常压 MOCVD 法在蓝宝石 000 1 衬底上沉积了非故意掺杂 ZnO 单晶薄膜. 用 Van der Pauw 法测量了
其从 15 K 到室温的载流子浓度和霍耳迁移率 ,并用双层结构单施主模型对载流子浓度和迁移率进行了拟合分析.
研究表明:ZnO 薄膜浅施主能级为 204meV ,温度较低时 , 以电离杂质散射为主 ,温度较高时 , 以极性光学波散射为
主.
关键词 : ZnO ; MOCVD ; 迁移率 ; 载流子浓度
PACC : 6855 ; 8115 H ; 7360 F
中图分类号 : TN 304055 文献标识码 : A 文章编号 : 02534 177 (2005)
1 引言 2 实验
在常压下 ,利用 自制的金属有机化学气相沉积
( )
氧化锌 ZnO 是一种直接带隙半导体材料 ,具
( ) ( )
MOCVD 设备在蓝宝石 000 1 衬底上沉积了 ZnO
( )
有很大的激子束缚能 60meV ,远大于 GaN 的激子
( ) ( )
薄膜. 源材料采用二乙基锌 D EZ 和水 H O ,载气
( ) 2
束缚能 26meV ,其带宽为 337eV ,具有六方纤锌
[ 6 ]
μ
用 N2 ,生长方法已有报道 . 实验样品厚度为 3 m ,
矿结构 ,这些优点使 ZnO 成为短波长光电子器件的
( ) ω
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