ZnO压电薄膜的制备和性能表征.pdfVIP

第 38卷 第4期 人 工 晶 体 学 报 V0】．38 No．4 2009年8月 JOURNAL 0F SYNTHETIC CRYSTALS August，2009 ZnO压电薄膜的制备与性能表征 许恒星，王金 良，唐 宁，彭洪勇，范 超 (北京航窀航天大学物理科学与核能工程学院，北京 100191) 摘要：采用射频磁控溅射法在硅(100)衬底上制备高质量的ZnO压电薄膜。利用x射线衍射仪(XRD)、原子力显微 镜 (AFM)、压电响应力显微镜(PFM)等仪器研究了薄膜成分，表面形貌和压电性质。结果表明：实验制备的ZnO薄膜 具有很好的压电性质，C轴取向和表面粗糙度对薄膜压电特性有很大影响，高度 c轴取向生长和表面粗糙度较小的 ZnO薄膜表现出更好的压电性质。 关键词：ZnO薄膜 ；射频磁控溅射；压电性质；表面粗糙度 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2009)04-0880-04 PreparationandCharaterization ofZnO PiezoeletricFilm XUHeng—xing，WANGYin—liang，TANGN 吗，PENGHong-yong。FAN Chao (SchoolofPhysicsScienceandNuclearEnergyEngineering，BeijingUniversityofAeronauticsnadAstronautics，Beijing100191，China) (Received26December2008，accepted20February2009) Abstract：ZnO filmswerepreparedonSi(100)substratesbyRFmagnetronsputteringprocess． Compositions，surfaceappearance，andpiezoelectricitywerestudiedbyXRD，AFM andPFM．Theresults indicatethatthepreparedZnOfilm hasexcellentpiezoelectricity．Thepiezoelectricityofthefilm isstrongly dependentO1qtheCaxisorientationandsurfaceroughness．Thesamplewithsmoothersurfaceanda8tI0ln y preferredorientationofCxaisshowsabetterpiezoelectricity． Keywords：ZnO film；RFmagnetronsputtering；piezoelectricity；surfaceroughness 1 引 言 ZnO是一种Ⅱ一Ⅵ族半导体材料，其结构为六方晶体结构，密度为5．67g／cm ，晶格常数u：0．32496nm，c= 0．52065nm。室温下其禁带宽度是3．3eV，是典型的直接带隙宽禁带半导体。ZnO的激子束缚能高达60meV， 更易在室温下实现高效率的激光发射，是一种在室温或更高温度下，具有很大应用潜力的短波长发光材料 ]。 在适当的掺杂下，ZnO薄膜材料表现出很好的低阻特征和较高的光透过率，这一性能使得ZnO成为一种很好的 透光窗口和透明电极材料。ZnO也是一种十分有用的压电薄膜材料，高质量的单晶或c轴择优取向的多晶ZnO 薄膜具有良好的压电性质，能够用来制备高频纤维声光器件及声光调制器等压电转换器，在光电通信领域得到 广泛的应用 。 高质量的ZnO压电薄膜在薄膜外观以及微观结构上都有较高的要求。表面应光滑、致密、无微孔和裂缝； 微观结构上，应是高度取向生长的多晶薄膜，晶粒细小，极性方向相同，并且堆积紧密。另外，还要求其化学性 收稿 日期：2008-12-26；修订 日期：2009-02-20