多晶靶材制备和薄膜生长.pdfVIP

第 卷 中 国 激 光 光学前沿———光电技术 ３６ 　 　 　 年 月 专 刊 ２００９ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犔犃犛犈犚犛 　　 文章编号： （ ） ０２５８ｕ ｌｅｍｅｎｔ２０３６４０４ 　　 ｐｐ 犐狀犌犪犣狀犗多晶靶材制备与薄膜生长的研究 陈江博 王 丽 苏雪琼 孔 乐 刘国庆 张新平 　 　 　 　 　 　 　 （北京工业大学应用数理学院，北京 １００１２４） 摘要 对于 材料作为沟道半导体的薄膜晶体管柔性显示器件的研究倍受关注。将 ， ， 高 ＩｎＧａＺｎＯ ＧａＯ ＩｎＯ ＺｎＯ 　 ２ ３ ２ ３ 纯度粉末按一定比例混合，经过研磨、预烧、研磨、压模和烧结，利用常压固相反应烧结法制备了直径为 ３０ｍｍ，厚 度为 高质量的 陶瓷靶材，并对 靶材进行了 射线衍射（ ）测试。采用脉冲激光沉积 ５ｍｍ ＩｎＧａＺｎＯ ＩｎＧａＺｎＯ Ｘ ＸＲＤ 的方法，一定温度下在石英玻璃衬底上生长了ＩｎＧａＺｎＯ薄膜，并对薄膜进行原子力显微镜、透射光谱与霍尔效应的 测试与表征，制备出具有高平整度、高透射率与优异电学性质的透明氧化物半导体（ ）薄膜，为进一步对 ＴＯＳ ＩｎＧａＺｎＯ薄膜的制备与分析提供良好的实验数据支持。 关键词 薄膜；透明氧化物半导体； ；固相反应；脉冲激光沉积 ＩｎＧａＺｎＯ 　 中图分类号 文献标识码 ： ／ Ｏ４８４．１ Ａ 犱狅犻１０．３７８８犆犑犔２００９３６狊２．０３６４ 　 　　　 　 　　　 犐狀狏犲狊狋犻犪狋犻狅狀狅犳犐狀犌犪犣狀犗犘狅犾犮狉狊狋犪犾犜犪狉犲狋犉犪犫狉犻犮犪狋犻狅狀犪狀犱 犵 狔 狔 犵 犜犺犻狀犉犻犾犿犌狉狅狑狋犺 犆犺犲狀犑犻犪狀犫狅 犠犪狀 犔犻 犛狌犡狌犲犻狅狀 犓狅狀 犔犲 犔犻狌犌狌狅犻狀 犣犺犪狀 犡犻狀犻狀 犵 　 犵 　 狇 犵　 犵 　 狇 犵　 犵 狆 犵 （ ， ， ， ） 犆狅犾犾犲犲狅犃 犾犻犲犱犛犮犻犲狀犮犲狊 犅犲犻犻狀 犝狀犻狏犲狉狊犻狋 狅犜犲犮犺狀狅犾狅 犅犲犻犻狀 １００１２４ 犆犺犻狀犪 犵 犳 狆狆 犼 犵 狔 犳 犵狔 犼 犵 ， 犃犫狊狋狉犪犮狋 犚犲犮犲狀狋犾 犻狀狏犲狊狋犻犪狋犻狅狀狅狀犐狀犌犪犣狀犗犪犮狋犻狀 犪狊犮犺犪狀狀犲犾犾犪犲