CdTe薄膜的制备和后处理研究.pdfVIP

维普资讯 2002年 4月 四川大学学报 (自然科学版) Apt 2OO2 第39巷第2期 Jouma[ofSichumaUnlvers[ty(NaturalScienceEdition) Vo【39No．2 文章编号：0490—6756(2002)02—0273—04 CdTe薄膜 的制备和后处理研究 蔡伟，冯 良桓，蔡亚平，张静全，武莉莉 (四川大学材料科学系，成都610064) 摘要：用近空间升华法制备 ＆lTe薄膜 研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构．衬底温 度在 400℃以上薄膜鲒晶状况较为完整．结晶状况较好的 (MS薄膜上生长的cd1e薄膜晶粒较大， 尺寸均匀．对CdTe薄膜进行了加热后处理研究，结果表明，加用cdck有助于热处理过程中薄膜 晶粒的生长． 关键词：cdTe；近空间升华；太阳电池；退火 中图分类号：TM914．4；TN304．25 文献标识码：A 近十年来，低成本、高效率的多晶薄膜太阳电池( e，CulnSe2，pc-Si等)的研究取得了很大发展．其中 EaTe太阳电池结构简单，生产成本相对低廉，商业化进展很陕． CdTe属于直接禁带型半导体材料，其禁带宽度为 1．46eV的；而且吸收系数大，1ym厚的薄膜即可吸 收90％以上的人射太阳光．cdTe薄膜制备方法较多…，常见的有电化学沉积法、射频溅射法、近空间升华法 (CSS)、真空蒸发法、MOCVD法、丝网印刷法、喷涂热分解法等．其中近空间升华法设备简单，实验室工艺容 易推广至工业规模化生产，国外研究较多．用近空间升华法制备的小面积电池效率已达 16％Zz]，大面积集成 电池的效率已达 1O1％，已有建成 10MW 的cd1e电池生产线 3【 在近空间升华法中，衬底温度等沉积条件对碲化镉薄膜的微结构和光电学性能有很大的影响，并且使用 后处理的方法来改善膜的结构和性能 后处理通常是在碲化镉薄膜表面涂敷EaCI甲醇溶液，然后在400℃ 下处理40trfin，以促进晶粒长大，钝化晶界缺陷 我们研究了近空间升华法制备的CdTe薄膜，近空间升华法 中衬底温度、衬底材料对薄膜微结构的影响，并提出一种新的后处理方法 (EaClz汽相升华法)用于CATe薄 膜的沉积后热处理． 1 实验 使用自制的近空间升华沉积系统沉积碲化镉薄膜．真空沉积室装置简图如图1所示 源和村底的距离 2-4mm，沉积室可充氮气 ，工作气压 1～100Pa．使用 自制的高纯度碲化镉成型升华源，源温度550～650℃， 衬底温度350-520℃，CdTe膜厚 5～10u,m衬底为用化学池沉积法在 ITO玻璃上或在载波片上生长的 CdS薄膜L4J，CdS薄膜包括刚沉积的和经过退火处理的两种 新沉积的cdTe薄膜均需要进行退火处理．通常是在碲化镉薄膜表面涂敷EaCh甲醇溶液，然后在 400℃下处理30min，保护气体通常使用高纯氮气．我们近期还采用一种新的处理方法，具体做法是：先在石 英玻片上涂敷EaCh甲醇溶液，干燥后形成氯化镉均匀薄膜作为升华源．将欲处理的碲化镉薄膜倒扣在此 源的上方，间距大约2N3mm(见图2)．在干燥空气保护下进行处理，温度300--460℃，时间10--40min不 等，以便探索最佳的工艺条件． 用HitachiS-450型扫描电镜观察薄膜表观形貌，用该系统上的EDAX(EnergyDispersiveAnalysisofX— Ray)~定薄膜组分 用丹东射线仪器集团公司生产的Y-4Q 自动x射线衍射仪进行 XRD测试，使用铜靶 线，扫描范围：l0。～90。，扫描速度：003。／s． 收藕 日期 ：2001—10—15 维普资讯 274 四川大学学报(自然科学版) 第 39卷 田 l 近空间升华法沉积系统真空室于意图 田2