多晶硅薄膜太阳能电池硅基复合陶瓷衬底的设计与制备.pdfVIP

第34卷 增刊1 1 稀有金属材料与工程 v01．34，S“ppl 2005年 6月 RAREMFIALMATERLALSANDENG州EERⅡqGJ呻e2005 多晶硅薄膜太阳能电池硅基复合 陶瓷衬底的设计与制备 李海峰’一，黄勇1，一，万之坚2，张厚兴1，张立明2，许颖3，王文静3 (1清华大学深圳研究生院，深圳510855) (2清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京1000841 (3．北京市太阳能研究所，北京100083) 摘 要：采用复台陶瓷设计的概念，设计多晶硅薄膜太阳能电池用si，slc，c的复合陶瓷衬底。在气氛保 护烧结炉中烧成，得到的复合陶瓷衬底和si具有较好的热力学和晶体学匹配性，可以有效的避免在RTcvD工艺下高 温沉积和冷却过程中出现的开裂现象，并能得到质量较好的多晶硅薄膜。同时，通过恰当设计si，sic和c各组分间 的比例，还可以制各具有良好导电性能的陶瓷衬底，这对陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池的制各也有重要的意义。 关键词：陶瓷衬底；复合陶瓷设计；薄膜电池 中图法分类号：TG174．1 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(20051S1．0865—03 1引言 2实验方法 太阳电池有着相当大的市场潜力，电池效率也在 2 1实验原料及配方 不断提高，但仍然无法大规模普及应用，主要障碍还 本实验采用的原材料为市售的sic粉、si粉和c 在于成本偏高。多晶硅薄膜电池是在一定衬底上用某 um≈Oum， 粉。其中经球磨后sic颗粒尺寸为0．5 种方法生长单层或多层多晶硅薄膜，然后制成太阳电 si粉采用北京市太阳能研究所提供的高纯硅粉。实验 池。因为薄膜厚度仅1‘儿到几十微来，所以能大大节 采用两种配方，两种配方的具体组成和添加剂参照表 省材料。特别是最近兴起的将区熔再结晶方法应用到 陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池的工艺中，可以得到 尔比混合，配方2将c，sic和Si粉按摩尔比l：2： 厘米量级的晶粒，并且在一定的技术处理和工艺条件 2的比例混合。 的配合下可以得到比较一致的晶粒取向，从而制备可 以实用的多晶硅薄膜太阳能电池。但是目前所用的衬 表1复合陶瓷衬底粉料配方1 底材料多为昂贵的单晶硅或者多晶硅的体材料，所以 1竺!!!!!坚堕避 型墅 其降低成本的重要突破就在衬底材料上。而普通的陶 SiC 50 瓷衬底材料具有杂质含量高、和硅的晶格不匹配等缺 Si 50 点，特别是如果热膨胀系数等热力学参数和硅的不匹 配会直接导致在cvD沉积和冷却过程中出现开裂、 薄膜内部应力和缺陷等严重影响电池效率的问题。另 一方面，绝大多数陶瓷衬底导电性能很差，沉积薄膜 制备电池后正反电极都要从正面引出，使单位面积上 的有效电池面积减小【l。J。 本实验采用复合陶瓷设计的概念，设计了多晶硅 薄膜太阳能电池用si，sic，c的复合陶瓷衬底。 2 2实验方法 收稿日期：2004—12—28 基金项目：北京市自然科学基金重点项目(202l帅1) cn E—m射l：lihf01@ma弧虹ingb岫edu 万方数据 ·866·