无定形铌氧化膜的优化生长及机理分析.pdfVIP

第34卷 第8期 稀有金属材料与工程 、，01．34．No．8 AND 2005 2005年 8月 RAREMETALMATERIALSENGn呵EERING August 无定形铌氧化膜的优化生长及机理分析 李春光1，一，高 勇1，董宁利2 (1．西安理工大学，陕西西安710048) (2．宁夏星日电子股份有限公司，宁夏石嘴山753000) 摘要：铌是用于制造电解电容器的优质材料，但在进行电解反应生长无定形Nb205电介质膜层的过程中会同时生成2 种低价态的铌的氧化物(Nb0，Nb02)，影响了铌电容器的性能。本研究通过对影响无定形铌氧化膜生长的各种条件进行 对比实验，并就生长机理进行了深入分析，较好地控制了氧化膜中3种氧化物的相对含量，改善了铌电容器的性能。 关键词：铌电容器；氧化膜；xPS分析 150．4l 文献标识码：A 中图法分类号：TQ135．12；TQ 文章编号：1002—185x(2005)08一1306一04 为电容器的阴极极板，并进行封装等工艺制成铌电容 1 引 言 器成品。通过对铌电容器成品的参数测试和性能分析， 1801年人们首次发现了铌。铌的介电常数(41) 检验所生成的无定形Nb205氧化膜的质量状况并作为 对其生长机理分析的证明。 远远高于阀金属钽(27)，铝(18)，地质资源也非常 丰富，于是19世纪50～60年代被人们用于制造电解电2．2试样制备 容器[卜引。但是铌电容器的性能也存在问题，比如，产 第l组：取一定数量的烧结块，分为样品1，2， 品的搁置性不好、寿命试验不良、温度特性略差、漏 电流大等。铌电容器的不稳定性主要在于以电解法生 液中，以80 V的 mA／g的升流密度对铌烧结块施加30 成无定形Nb205电介质膜层的过程中，会伴随生成直流电压，并保持5h生成无定形铌氧化膜，然后使 Nb02，NbO2种低价态的氧化物，而这3种氧化物性 用纯水淋洗，去除多余的酸液制成阳极块，阳极块经 质各不相同，分别是绝缘体、半导体、导体。本研究 过被覆MnO：阴极制成电容器。 主要从解决铌电容器电介质氧化膜的质量入手，就影 第2组：取一定数量的烧结块，分为样品4，5， 响无定形Nb205电介质氧化膜生长的几个关键因素， 进行条件对比实验，并通过x射线光电能谱分析 定形铌氧化膜，其它条件同于第1组。 (xPs)进行研究，控制氧化膜中不同价态铌氧化物 第3组：取一定数量的烧结块，分为样品7，8， 的相对含量，改善铌电容器的性能。 9，lO在浓度为0．3％硝酸溶液中，对应使用50 mA儋， 80 mA儋，110mA／g，140mA／g的升流密度，生成无 2 实验方法 定形铌氧化膜，其它条件同于第1组。 2．1 实验流程 第4组：取一定数量的烧结块，