高导热率及低介电常数的AlN_PI纳米复合薄膜研究.pdfVIP

( ) 16 18 功 　　能 　　材 　　料 2007 年第 10 期 38 卷 高导热率及低介电常数的 AlN / P I 纳米复合薄膜研究 郝晓静1 ,2 ,党智敏1 ,2 ,徐海萍1 ,2 ( 1. 北京化工大学 纳米材料先进制备技术与应用科学教育部重点实验室 , 北京 100029 ; 2 . 北京化工大学 北京市新型高分子材料制备及工艺重点实验室 ,北京 100029) 摘 　要 : 　通过将纳米氮化铝加入到原位聚合而成的 在 P I 中 ,但是复合材料的介电常数会有较大的提高 , 聚酰亚胺中以提高纳米复合薄膜的导热系数 。采用 限制电子封装材料的应用 ,并且实验的工艺耗时较长 , KH550 偶联剂对氮化铝粒子表面进行物化处理 , 以提 不利于工业化[ 12 ] 。 高有机 - 无机两相界面的结合力 。采用 SEM 、T GA 在我们实验中 ,设计将具有较低介电常数和较高 等对材料的微观结构 、热性能等进行了研究 。结果显 热导率纳米粒径的 AlN 在 P I 聚合过程中原位复合 , 示无机粒子在纳米复合薄膜中分散均匀 ,并在保持较 以获得热导率大幅增加的复合电介质薄膜 。为了改变 低的介电性能同时提高了复合材料的热稳定性和导热 纳米粒子的团聚状态 ,使用前采用 KH550 作为偶联剂 性能 。这样的材料在电子封装材料和印刷线路板中具 对 AlN 纳米粒子进行改性来降低其表面 自由能 ,并改 有很大的应用前景 。 善其在 P I 基体中的分散性 。结果显示 ,得到的 AlN/ 关键词 : 　纳米复合薄膜 ; 聚酰亚胺 ; 耐高温 ; 导热系 P I 纳米复合杂化薄膜在较低的无机粒子填充量下获 数 ;介电性能 得了较高的导热系数 , 同时具有很低的介电常数 ,这样 中图分类号 : 　TM282 文献标识码 :A 的性能对电子封装材料和印刷线路板是必要的。 ( ) 文章编号 :100 1973 1 2007 1016 1803 2 　实 　验 1 　引　言 2 . 1 　AlN/ P I 纳米复合杂化薄膜的制备 ( 微型化已经成为印刷线路板和电子封装材料发展 采用 4 ,4二胺基二苯醚 ODA ,化学纯 ,上海三爱