混合集成电路金铝键合退化与控制研究动态.pdfVIP

第27卷第12期 电 子 元 件 与 材 料 v01．27No．12’ COMPoNENTSANDMATERIALS Dec．2008 2008年l2月 ELECTRONIC 混合集成电路金铝键合退化与控制研究动态 苏杜煌1．一，何小琦2 (1．广东工业大学材料与能源学院，广东广州510090；2．工业与信息化产业部电子第五研究所电子元器件可 靠性物理及其应用技术国家级重点实验室，广东广州 510610) 摘要：混合集成电路的两种金铝键合系统，有着不完全相同的两种退化模式．综述了相关的退化机理和控制方法 导体的Al／Au键合系统，除了界面开裂外，还存在键合根部因铝原子向IMC过度迁移而形成铝丝内部空洞导致铝丝断 裂．采用铜丝代替金丝，可有效控制Au／AI键合系统的退fir；采用过渡垫片或在金浆料中加入少量Pd，同时减少金导 体膜厚度，可有效控制铝丝Ai／Au键合系统的退化。 关