Bi4Ti3O12薄膜的取向生长及其电性能研究.pdfVIP

Col 5 第19卷第5期 无机材料学报 19，No of MateriMs Sep，2004 JournM 2004年9月 Inorganic 文章编号：1000—324X(2004)05-1093—06 Bi4Ti3012薄膜的取向生长及其电性能研究 王华 f桂林电子工业学院通信与信息I程系，桂林541004) 摘 要：采用S01．Gel工艺，在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Tia012铁电薄膜，研究了 退火温度及时间，薄膜厚度对Bi4Ti30t2薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响， 探讨了Bi4Ti。012薄膜取向生长的微观机制．结果表明：退火温度显著影响薄膜的c轴取向生 081增加到850。C的0 827， 长，其(001)晶面的取向度F=(P—Po)／(1一Po)由550。C的0 退火时间对其(001)晶面的取向度也有较大影口向；经750。C以上温度退火处理的Bi4Tia012薄 膜呈高度c轴取向，对铁电性能有较明显的削弱作用j薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增 大，但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长． 关键词：铁电薄膜}Bi4TiaOt2；生长取向}电性能 304 中圉分类号：TM22，TN 文献标识码：A 1引言 铁电薄膜具有良好的铁电性、压电性、热释电性、电光及非线性光学特性．随着薄膜制 备技术的发展和微电子集成技术的进步，铁电薄膜制备工艺与Ic工艺兼容成为可能，使之 在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广阔的应用前景，成为国际 上新型功能材料研究的热点之一．目前，由铁电薄膜与Si半导体集成技术相结合而发展起 来的集成铁电学及相关集成铁电器件的研究，已成为铁电学研究中最活跃的领域之一【““． 然而，铁电薄膜／硅衬底的界面状态(互反应程度、互扩散程度、晶格匹配度、界面态密度 等)及薄膜较高的漏电流不能满足Si集成铁电器件的要求，严重阻碍了si集成铁电器件实 用化的进程mJ．因此，如何制备具有良好界面特性及较低漏电流的si基铁电薄膜就成为制 备Si集成铁电存储器件的关键． Sol—Gel法}8】，溅射法【9】等． 铁电薄膜的制备方法很多，如PLD法【6】，CVD法lT】I 晶si的晶格失配度很小，有利于改善二者之间的界面特性…．本文采用sol—Gel方法，在 快速退火的工艺条件下制备了Bi4TiaOl2铁电薄膜．研究了退火温度及时间、薄膜厚度对 生长的微观机制． 2实验 杂的(100)p-Si单晶片，电阻率在o 收稿日期：2003—09-12，收到修改稿日期：2003—1¨27 基金项且：国家自然科学基金；广西科学基金(0236062) edu．c“ 作者简介；王华(1965一)，男，博士，副教授E—mail：wh65@09liet 万方数据 1094 无机材料学报 19卷 si片放在石英清洗架上按半导体标准工艺进行清洗· 称量后配制