纳米功能材料 期末总结 主要部分 苏州大学 公式见另一份.docVIP

纳米功能材料 期末总结 主要部分 苏州大学 公式见另一份.doc

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什么是纳米功能材料?纳米功能材料的种类和结构特点答指在纳米尺度上材料的性能既不同于原来组成的原子分子,也不同于宏观材料,具有特殊功能的材料。纳米功能材料的基本单元按维数可以分为:零维 在空间三维尺度均在纳米尺度,如纳米尺度颗粒、原子团簇等;一维 在空间有两维处于纳米尺度,如纳米丝、纳米棒、纳米管等;二维 在三维空间中有一维在纳米尺度,超薄膜、多层膜、超晶格等。纳米材料具有如下结构特点、原子畴(晶粒或相)尺寸小于100nm;很大比例的原子处于晶界环境;各畴之间存在相互作用。定义团簇:(原子分子团簇)是由几个乃至上千个原子、分子或离子通过物理和化学结合力组成相对稳定的聚集体,其物理和化学性质随着所含的原子数目不同而变化幻数:在团簇质谱分析中,含有某些特殊原子数的团簇的强度呈现峰值,表明这些团簇特别稳定,所含的原子数称为“幻数”、重构:当团簇尺寸很小时,每增加一个原子,团簇的结构都会发生变化,这种变化被称为重构。什么是小尺寸效应?纳米颗粒的哪些现象和小尺寸有关?当纳米颗粒的尺寸,如晶粒的尺寸、第二相粒子的尺寸与光波波长、德布罗意波长(λ=h\p)以及超导态的相干长度或投射深度等物理特征尺寸相当或更小时,它的周期性边界被破坏,引起宏观物理性质性对于块材显著变化。这种现象称为小尺寸效应。光吸收明显增加\磁有序向无序转变,超导相向正常相转变\矫顽力增加\声子谱发生改变\纳米颗粒的熔点远低于块状纳米颗粒有哪些基本的效应?试举例说明\量子尺寸效应(金属良导体变为绝缘体,半导体的能隙变宽、吸收光谱阙值向短波移动)\小尺寸效应(力、声、光、磁)\表面效应(高活性的表面 容易导致颗粒间出现团聚、吸附现象)\库伦堵塞效应(电容极小,充放电量子化)\量子隧穿效应\介电限域效应纳米材料的晶界有哪些不同于粗晶界的特点?对其纳米材料的性能有什么影响?晶界具有大量未被原子占据的位置或空间\低的配位数和密度\大的原子均方间距\存在三叉晶界纳米材料有那些缺陷?总的纳米材料中位错的特点纳米材料的缺陷包括:在晶界处存在的空位团、微孔等缺陷旋错、晶粒内的位错、孪晶、层错等刃位错若一个晶面在晶体内部突然中止于某一条线处,则称这种不规则排列为一个刃位错。刃位错附近的原子面会发生朝错线方向的扭曲螺位错将规则排列的晶面想象成一叠间距固定的纸面,若将这叠纸片剪开(但不完全剪断),然后将剪开的部分其中一侧上移半层,形成一个类似于楼梯拐角处的排列结构,则此时在“剪开线”终结处(这里已形成一条垂直纸面的位错线)附近的原子面将发生畸变,这种原子不规则的排列结构成为一个螺位错。混合位错刃位错的伯氏矢量垂直于位错线方向,螺位错的伯氏矢量平行于其位错线方向。但实际材料中位错的伯氏矢量往往既非平行又非垂直于位错线方向,这些位错兼具了刃位错和螺位错的特征,称为混合位错纳米晶粒的长大有什么特点?采用哪些方法可以防止纳米晶粒的长大特点:随着晶粒尺寸的减小,热力学的不稳定性增加,晶粒容易长大;在一种极端的情况下,当晶粒小于某一临界尺寸时,自由能大于相应的非晶态的自由能,由晶态转化为非晶态;晶粒长大的驱动力来源于晶界和晶粒内部的内能;服从关系式 方法:降低晶粒长大的驱动力,即降低晶界的自由能或降低晶界的迁移速率;获得真正亚稳态的组织。怎样使纳米材料具有可调节的电子结构?什么是Schotty 势垒?讨论纳米材料的电子结构对其性能的影响。外加电压可改变纳米材料的电子结构:组成链状物的纳米颗粒的直径小于空间电荷区的厚度;在链状体与绝缘层的表面区域之间外加压将形成空间电荷区;整个纳米颗粒体系内的平均电荷密度在外加电压的作用下发生变化。Schotty势垒:由金属和半导体粒子复合而成的复合材料,由于金属的功函数通常高于半导体的,半导体相带正电荷而金属相带在相界形成负的空间电荷区。半导体的空间电荷层内失去电子形成耗尽层,能带向上弯曲形成能垒。由于晶界空间电荷区局部偏离电中性,当晶界占据相当大的体积分数时(特别是当晶粒尺寸在几个nm时),将导致局部物理性能发生变化,从而影响材料的整体性能。为什么纳米颗粒具有很高的活性?如何利用?表面原子数和总原子数之比随颗粒减小而大幅增加。表面原子具有许多的悬挂键,有不饱和性,易与其他原子结合稳定下来。/表面吸附储氧、制备高效催化剂、实现低熔点材料如何理解和区分量子尺寸效应与小尺寸效应。理解:材料的大多数物理性质都与费米面附近的电子的运动状态有关,费米波长随电子浓度的增加而降低,可以设想费米波长相当于使纳米颗粒产生量子尺寸效应的临界尺寸。参加小尺寸定义区分:量子尺寸效应:在低温的条件下明显,性能的变化在某一温度下有突变小尺寸效应:不要求低温,性能虽温度没有变化是举例说明纳米材料的量子尺寸效应。答:当粒子尺寸下降到某一值时,金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象;纳米半导体微

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