垂直腔面发射激光器的TO封装的耦合效率模拟分析.pdfVIP

第27卷第4期 半导体学报 VoI．27NO．4 2006年4月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Apr．，2006 垂直腔面发射激光器的TO封装的耦合 效率模拟分析* 刘 超1’+ 王 欣1 袁海庆1 钟宝璇2 祝宁华1 (1中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京100083) (2香港城市大学电子工程系，香港) 的影响．发现增加耦合透镜的折射率、减少管帽的高度和耦合透镜的尺寸可以提高耦合效率． 关键词：耦合效率；垂直腔面发射激光器；封装 EEACC：4320J；4330 中图分类号：TN305．94文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2006)04·0751-05 1 引言 2 统 垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有许多边发 射激光器不具备的优点，比如阈值电流低、光束发散 由于VCSEL的出光方向垂直于芯片的外延生 角小、可以在片测试等，使其在光纤通信、光互连、并 行光信息处理等领域具有广阔的应用前景．随着近 电探测器的TO封装结构类似．我们设计的To封 装为插拔式结构，其侧向剖面如图1所示．这种封装 年来人们对VCSEL芯片研制的日益关注，发展与 之相适应的封装设计技术是十分必要的． 结构的具体工艺流程为：首先将烧结好芯片的热沉 VCSEL芯片的封装形式[11有塑料封装、To焊接在管座上；然后采用金丝球焊技术将芯片的电 (transistor outline)封装、陶瓷衬底封装和倒装 焊[2]．其中，TO封装曾经是晶体管器件常见的封装 形式，后来被广泛应用于光电子器件封装．由于其操 作工艺简单、成本低、技术成熟，VCSEL芯片的TO 封装日益受到人们的重视． 迄今为止，关于边发射激光器To封装已有很 多相关报道[3~7]，由于VCSEL芯片的研发历史比 边发射激光器短，有关其TO封装的工作却未见报 道，只有文献[8]简单分析了VCSEL与多模光纤直 接耦合时的轴向、横向和倾斜角度的容差．VCSEL 应用于高速远程光通信时，为了减少模式色散，只能 图1 VCSEL的插拔式TO封装剖面图 用单模光纤而非多模光纤作为光的传输媒质．因此， Cross-sectionof Fig．1 diagrampluggableTO—pack- 分析VCSEL的To封装与单模光纤组成的光学系 ofVCSEL aged 统的耦合效率是十分必要的．本文通过FRESNEL 软件结合MATLAB软件，分析了VCSEL的TO封极和相应的管脚连接起来；再用盖帽机将管座用带 装的耦合效率随封装元件结构参数的变化．这将对 有透镜的管帽密封起来；其后采用激光点焊技术将 VCSEL的TO封装的设计和生产提供有益的参考．起到保护作用的环状金属套管焊接在管座上；接着 套上调节套管，并在金属套管和调节套管的结合缝 *国家自然科学基金国际合作重大资助项目(批准号 t通信作者．Email：chliu@red．semi．ac．cn 2005．08．27收到，2005．11．25定稿 @2006中国电子学会 万方数据 752