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2015-09-05 发布于湖北
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基于BiCMOS的高精度LDO线性稳压电路.pdf

第卷第期华中科技大学学报自然科学版 34 5 Vol.34 No.5 年月 Z006 5 J. ~uazhon Univ. of Sci. Tech. Nature Science Edition Ma Z006 g y 基于BiCMOS的高精度LDO线性稳压电路陈晓飞邹雪城 !华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉 430074# 摘要!设计了一种基于0.8 m 双阱BiCMOS高压工艺的高精度 LDO 线性稳压电路电路采用四管单元带. 卜隙基准作温度补偿多级误差放大反馈结构稳定输出电压其中直接将带隙基准电路作为误差放大电路的一部分从而在不增加电路复杂性的基础上使整个误差放大电路经过多级放大增益得到大幅提高.~s icep 仿真结果表明电路在较宽的频率范围内电源抑制比约为 85 dB 在温度由-Z0 80 变化时其温度系数约～为 -6 电源电压在之间变化时最坏情况下其线性调整率为负载电流由 35 10 4.5 Z8V 0.031mV V ～到满载变化时其负载调整率仅为 0mA Z mA 0.01mV mA. 关键词! 稳压电路高压工艺温度系数线性调整率负载调整率电源抑制比 LDO BiCMOS 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! TN43Z A 1671-451Z Z006 05-0059-03 Low-dro out linear re ulator based on BiCMOS p g Chen XiOO ei ZOu Xuechen f g Abstract On the basis of BiCMOS band a reference With one-order tem erature com ensation a g p p p LDO linear re ulator With hi h volta e re ulation accurac Was desi ned Wh