Dawson型钼磷酸银纳米棒体修饰石墨有机硅复合电极的电化学及电催化亚硝酸根的还原.pdfVIP

Dawson-型钼磷酸银纳米棒体修饰石墨有机硅复合电极的 电化学及电催化亚硝酸根的还原 李兴伟，王主￡匾：，刘国成，林红艳 (渤海大学化学化工学院，锦州，121000) 多金属氧酸盐由于组成和结构上的多样性，尤其是能够进行多电子可逆的电化学氧 化还原过程而使它们在电极修饰和电催化研究方面非常有吸引力”J。常规多金属氧酸盐 修饰电极是表面膜修饰，这种膜修饰电极的一个不足之处是一旦电极表面受到污染或钝 化后就无法更新，导致无法反复使用，这就使多金属氧酸盐修饰电极的实际应用受到影 5H20)为体修饰剂，通过 响。在本文中，我们以Dawson一型钼磷酸银纳米棒(A96P2M018062 溶胶一凝胶技术制各了一种三维的、表面可更新的石墨有机硅复合电极(GOSE)，并研究 了其在水溶液中的电化学性质及其对亚硝酸根的电催化还原。 Dawson一型钼磷酸银纳米棒的制备参见文献方法口J，并通过红外、透射电镜和X．射线 粉末衍射进行了表征。Dawson-型钼磷酸银纳米棒体修饰的石墨有机硅复合电极 溶液中不同扫速下的循环伏安图。从图1可见，在+800到0mV的电位区间内，出现了 型锢磷酸银纳米棒完全保持了Dawson一型钼磷酸阴离子的电化学性质。当扫速从20到 200 mVs‘1变化时，峰电流随扫速的增大而成比例增大，表明P2Mol8-GOSE的氧化还原过 II．II和III-111’相应的阴极蜂和阳极峰 程是表面控制的。在20mVs。1的扫速下，I—I’、 mV，而不是可逆的表面氧化还原过程所预期的零 之间的峰位差(△Ep)分别为38、40、38 值，这可归因于非理想行为俗】。值得注意的是，随扫速的增大，各氧化还原峰电位也发 生了一些变化：阴极峰电位逐渐向负电位方向移动，而相应的阳极峰电位则逐渐向正电 位方向移动。这可能是由于溶液中的质子渗透到Dawson一型钼磷酸银纳米棒的速度比到相 应的阴离子的速度慢一些，导致电极和Dawson-型钼磷酸银纳米棒之问韵电予交换速度在 一定程度上受到影响而造成的。 图中可以清晰地看到，随着pH值的增大，所有峰电位都逐渐向负电位方向移动，而峰电 流则逐渐降低。这并不难解释，Dawson-型钳磷酸银纳米棒的还原与Dawson-型钼磷酸阴 离子一样都伴随着质子从溶液中的析出以维持电中性，随着pH值的增大，电位的负移和 的氧化还原波的峰电位与pH值在0．6到4,2的pH范围内成线性关系，其斜率分别为．68， 一66和一66 mVlpH，比常规多金属氧酸盐阴离子的2c-／2矿氧化还原过程的理论值．59 186 mv／pH‘11稍高些，这可能反映了固态难溶的多金属氧酸盐纳米棒与常规多金属氧酸盐阴 离子的氧化还原性质的些许差别。 图1 圈2P2MolrGOSE在不同pH值下的方波伏安圈：(a) P2M018GOSE在不同扫遗下的循环伏安图(从内 到外：20，40,60,80,100,120,140,160,180mV／s) 实验中，我们发现Dawson一型钼磷酸银纳 米棒体修饰的OOSE对亚硝酸根的还原表现出 了较高的电催化活性。图3给出了P2MoIrGOSE mol／L mol，L 在0．5 H2S04+O．1Na2S04溶液中 对亚硝酸根电催化还原的循环伏安图，从图中 可见，随着亚硝酸根的加入，三个还原峰电流 《j_，_g鼍；u 逐渐增大而相应的氧化峰电流则逐渐降低，表 明亚硝酸根可被Dawson一型钼磷酸银的2一、4一 和6一电子还原物种所催化还原，其中，2_电子 还原物种的催化活性很小而6一电子还原物种则 图3P2MolrG．t36E在含有不同浓度NOf的叫 具有很高的催化活性，即P2Mol8-GOSE对亚硝 mol／L 酸根还原的电催化活性随Dawson一型钼磷酸银 H2SO,溶液中的