Sb在Cu单晶电极上欠电位沉积的电化学和现场STM研究.pdfVIP

维普资讯 第 9卷 第 4期 电化 学 Vo19 NO．4 2003年 11月 EI正 (vrRoCHEM ISTRY Nov．2003 文章编号 ：1006—3471(2003)04—0393—09 Sb在 Cu单晶电极上欠 电位沉积的 电化学和现场 STM 研究 吴继红，颜佳伟，汤 儆，胡文云，毛秉伟 (固体表面物理化学国家重点实验室，厦门大学化学系。福建 厦门 361005) 摘要 ： 应用循环伏安法和现场扫描隧道显微镜研究了在HCIO4和H2SO4两种溶液中sb于cu (111)和Cu(100)电极上的欠电位沉积．结果表明，不同的表面原子排列和强吸附阴离子 的存在将 明显影响sh的欠电位沉积行为．在结构较为开放的Cu(100)表面，Sb形成的欠 电位沉积层结构也 较为开放，并且伴随着表面合金 的形成 ；而在密堆积的 Cu(111)表面上，Sb形成 了致密 的单层结 构．又当Cu(111)表面存在强吸附的SO4一时，sb原子首先在 SO4一吸附层与 Cu表面交接的新台 阶处成核，随后通过取代 SO4一向上一层品面发展，表现出独特的成核一生长行为；而在弱吸附的 HCIO4溶液中。sb的欠 电位沉积系以在品面上随机形成一些单原子层高度 的 sb岛为特征．在 Cu (100)表面，通过 SO42一的诱导共吸附，欠 电位沉积的 sb原子形成了开放性更大的(4×4)结 构，不 同于在HCI 溶液中所形成的(2、2×2 2)R45。结构 ． 关键词 ： sh；Cu(100)；Cu(111)；欠电位沉积；现场STM 中图分类号 ： 0646 文献标识码： A 在金属电沉积 中，第 1层原子的沉积往往可在正于其体相还原的热力学平衡 电位下发生． 这一现象称为欠 电位沉积 (UnderpotentialDeposition，UPD)，一般认为这是 由于基底与沉积原 子之间的相互作用强于沉积原子之 间的相互作用 ，欠电位沉积过程包含着原子 向金属相过渡 等基本理论问题。也是获得异种金属单原子层，研究和制备具有特异物理化学性能修饰表面的 有效手段 J，故是表面科学和电化学领域经久不衰的一个研究方面 ． 自1986年现场扫描隧道显微术 (ScanningTunnelingMicroscopy。STM)应用于电沉积研 究以来，人们就电极表面结构 [4--6]，阴离子吸附[j和表面合金过程 对金属欠 电位沉积的影 响进行 了，大量研究．但是，已有的研究主要集 中于金属性较强，沉积金属和基底功函差值大且 晶系相同(面心立方)的体系，其中尤以Cu，Ag，Pb在Au，Pt和Ag上的欠 电位沉积 的研究最 为深入l9J．而对功函差值小且具有不同晶系的UPD体系的研究则相对甚少 ．因而，至今欠 电 位沉积现象的本质远未被清楚认识 ． 收稿 日期 ：收稿 日期 ：2oo3一o612 * 通讯联系人 ，Tel：(86—592)2186979 E．mail：bwmao(~,xmu．edu．cn 国家 自然科学基金 29833060(重点项 目))资助 维普资讯 · 394 · 电 化 学 2003薤 由于 Cu的功函较小，限制了能在 Cu上形成欠 电位沉积层的金属种类 ；其面心立方结构 的晶格常数 (0．4nll1)较小，且易形成表面氧化物，也影响欠 电位沉积层有序结构的形成 ．目 前在 Cu上的欠 电位 沉积 研究仅有少量报道 ，沉积金属 限于 Cd[10．11]，pd[12·13】，sn[14．15]和 Sb[16j ． Sb是一种具有重要应用背景的金属，具有独特的物理化学性能，例如，Pt单晶上不可逆 吸附的