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TCS合成的资料 3.2氯化氢的合成 3.2.1氯化氢的性质及合成原理 氯化氢（HCl）分子量36.5，密度1.63克/升，是无色具有刺激性臭味的气 体。HCl易溶于水，在标准条件下1体积水中可溶解500体积，仅次于NH （700）， 3 形成的HCl饱和溶液比重为1.19。干燥的HCl腐蚀性较小，而HCl溶液（盐酸） + + 却有强腐蚀性，原因是在水分子的作用下HCl发生了电离，产生大量的H ，H 可与多种物质，特别是和金属，发生置换反应。因此，为了使设备不受盐酸腐蚀， 有更长的使用寿命，应该用干燥的氢气和氯气反应。 氯气和氢气的反应是连锁反应： Cl ＋能量——2Cl 2 Cl＋H + 2——HCl＋H - H+＋Cl ——HCl＋Cl 2 其反应速度特别快，达到一定混合浓度后会形成爆炸反应。但是该反应发生 必须要有外部能量，在较低温度和无光照情况下，即使二者大量混合也不会剧烈 反应。因此，我们在合成过程中必须防止二者混合，混合已经发生时则应该在防 止光照情况下把混合气通入碱洗塔中。 我们一般把氯气和氢气的反应写成下式： 这是一个放热反应，外焰温度可达1000℃。 3.2.2合成原料的质量指标 多晶硅生产对原料的质量要求很高，必须符合下列指标才能用于合成HCl。 1.氢气质量指标 H 含量（质量） ≥99.997% 2 O2 含量（质量） ≤0.003% 露点 -60℃ 2.氯气质量指标 Cl 含量（体积） ≥99.8% 2 水和其他含氧杂质（质量） ≤0.015% 三氯化氮（质量） ≤0.002% 不挥发残余物（质量） ≤0.015% 3.2.3 HCl合成主要设备介绍 3.2.3.1 HCl 合成炉 HCl合成炉是合成氯化氢的主要设备，其可分为炉体、燃烧器（灯盘）。炉 体是双锥形无内部部件的设备，其顶部是出气口，并在四周均布了4个水平方向 的防爆孔，下部还有一个窥视孔。防爆孔上安置防爆膜，它一般能承受炉内操作 压力的1.25倍压力，超压则自动破裂，起到很好的安全保护作用。炉体下部的 窥视孔是为了观察炉内火焰和反应情况。燃烧器是合成炉的最关键设备，它是双 层套管，内管通入氯气外管通入氢气，这样的结构可以确保在氢气过量3%～4% 情况下，合成的HCl中游离氯含量低于要求值。 合成炉顶出口温度可达450℃，所以全部用能耐高温的0Cr18Ni9Ti材料制 作。另外，合成时为了防烫和爆炸的冲击，合成炉必须安装在用混凝土隔离的封 闭空间内。 3.2.3.2 氢气和氯气缓冲罐 合成HCl的原料气氢气、氯气进入合成炉的流量控制，是通过控制进气压力 和气体体积流速来实现，缓冲罐和之上的压力调节器可使进炉的气体压力波幅小 于0.01MPa。 由于我们操作压力高（0.5MPaG），氯气在冬季可能会液化，而造成压力不 足。因此，氯气缓冲罐有夹套，可通入温水保温。 3.2.3.3 HCl缓冲罐：调节HCl合成炉和SiHCl 合成炉之间的压力波动。 3 3.2.3.4 HCl风冷却器：S型管，使40