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对一种新型全有机复合薄膜的超高密度信息存储研究.pdf
北京大学学报（自然科学版），第 卷，第 期， 年 月
36 3 2000 5
Acta Scientiarum Naturalium
UniVersitatis Pekinensis， ， （ ， ）
Vol . 36 No. 3 May 2000
对一种新型全有机复合薄膜的超高密度
）
信息存储研究!
2 ）
李建昌 薛增泉 侯士敏 刘惟敏 吴全德
（北京大学电子学系，北京， ）
100871
摘 要 用真空热壁法生长了一种新型全有机复合薄膜 ／ （ ／
TTF m-NBP tetrathiofulValene m-ni-
trobenz lidene ro anedinitrile）。用透射电子显微镜和傅立叶变换红外光谱对薄膜的表征结果证
y p p
明，该制备方法能够生长出较大面积的化学结构完善的单晶薄膜。用原子力显微镜（ ）和扫描
AFM
隧道显微镜（ ）都观察到了 ／ 薄膜表面的原子级分辨像。通过 针尖施加脉冲
STM TTF m-NBP STM
电压在 ／ 薄膜上实现了纳米级的信息存储，最小记录点直径约为 。扫描隧道谱
TTF m-NBP 1 .2nm
分析表明 ／ 薄膜具有很好的电开关“记忆”特性。初步研究认为其电开关机制可能主
TTF m-NBP
要是脉冲电压诱发的TTF 电子给体与m-NBP 电子受体分子间的电荷转移的变化所致。
关键词 超高密度数据存储；有机复合薄膜；扫描隧道显微镜
中图分类号 ；
0 484 .42 TN 804
引 言
数字信息技术的飞速发展，要求外存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率和长
12 2
的存储寿命。所谓超高密度是指存储密度至少能达到 ／ ，即每个存储单元的尺寸应
10 bit cm
小于 ，实现途径有两条：（）从现有的外存储器件出发，使其密度逐步提高；（）直接从
10 nm 1 2
纳米尺寸的外存储器件研究入手，力求实现超高密度。目前国内外许多科研机构正用不同的
［］
理论、材料和方法，研究超高密度信息存储技术，并取得了一些初步进展 1 。
美国 公司 - - 宣布开发出一种新型磁性合金材料制成的，面记录密度为每平
IBM 1999 10 4
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