NaF薄膜的结构与应力分析.pdf

2007年4月 重庆文理学院学报(自然科学版) Air．，2007 0fArtsand SeimeeEdition) Ⅷ．26 No．2 第26卷第2期 J0mlQfch,,嘴qi．gUrtiv℃rsity Sciences(Nat．rd NaF薄膜的结构与应力分析 詹勇军1’2，王 锋3，袁玉全1’4，谌家军1 (1．西华师范大学物理与电子信息学院，四川南充637002；2．中国工程物理研究院激光聚变研究中心，四川绵阳621902； 自贡643000) 3．四川大学原子与分子物理研究所，四川成都610065；4．四川理工学院物理系，四川 力进行了表征与分析．AFM测试结果表明，低激光能量密度下制备的薄膜表面均匀、致密，均 方根粗糙度(‰)仅为0．538nm；XRD分析结果表明，用脉冲激光沉积方法制备的氟化钠薄膜 在(222)晶面有明显的择优取向．应力分析薄膜的残余应力为压应力，应力大小随激光能量密 度的增加而增加；XPS分析结果表明，热蒸发制备的NaF薄膜氧含量明显高于PLD方法制备的 NaF薄膜的氧含量．热蒸发方法制备的薄膜中的氧含主要来源于水中的氧，PLD方法制备的薄 膜中的氧主要来源于游离态氧，说明PLD方法制备的薄膜不容易潮解． [关键词]脉冲激光沉积(PLD)；NaF薄膜；x射线衍射(Ⅺm)；择优生长 ev)和 本实验所用的沉积装置详见参考文献[12]， 氟化钠因具有宽光学带隙(Eg=11．5 色心等优良的性质在诸多领域得到了广泛应用． 采用KrF准分子脉冲激光器，输出激光波长为 如在农药杀虫剂、冶炼工业、生物医药等领 248nm，脉宽为20ns，重复频率为2Hz，单脉冲能 域[1。】的应用；在有关核能实验研究中NaF薄膜量为150rnJ．靶材采用纯度为99．9％的NaF粉末 mlTlX10 扮演了重要的角色，可以作为防辐射等材料；同 经过特定模具压制成,eJ,o mm的半圆片， 时，近年来的相关研究发现NaF薄膜也可以作为 然后高温烧结．压制过程施加20T压力，烧结过 光电材料和光电材料的辅助材料【4。9】．制备NaF程升温速度为25℃／min，升温至500oC保温3h， 薄膜的传统方法有热蒸发、电子束蒸发等．同传 最后自然冷却．衬底为表面抛光的Si(100)片，衬 统方法相比，脉冲激光沉积(PLD)技术具有操作底与陶瓷靶平行放置，两者间距为55mm，本底 X 简单、参数易控等优点u0’¨J，被广泛地应用于薄 真空度为l 10～Pa，实验温度为20℃．为防止 膜制备实验．通过实验发现用热蒸发制备的NaF 靶才表面的杂物沉积到衬底表面，在正式镀膜前 薄膜很容易潮解，而用脉冲激光方法制备的NaF 用挡板挡住衬底预打5min，每次实验沉积时间 薄膜不容易潮解．本文采用了PLD方法制备NaF为90min．由于能量密度的不同，使得沉积的薄 薄膜，并通过原子力显微镜(A脚)、X射线衍射膜厚度在100—309nm之间． 1．2样品测试 (ⅪⅢ)和x射线光电子能谱(xPs)就薄膜的成分 与表面形貌、薄膜的微观结构和应力情况进行了 薄膜的表面形貌采用El本精工SPA400型原 分析． 子力显微镜(AFM)测试．薄膜的成分和状态采用 1 实验 1．1 NaF薄膜的制备 射线作为激发源．薄膜的微观结构采用了Philips ·[收稿日期]2007—03—14 [作者简介]詹勇军(1982一)，男，四川省蒲江人，硕士研究生，主要从事薄膜制备tj廿质研究 [基金课题