不同集成度SRAM硬X射线剂量增强效应研究.pdfVIP

第27卷第12期 高能物理与核物理 VoJ27．No12 NucLEARPHYsIcs Dec，2003 2003年I2月 HIGHENERGYPHYsIcsAND 不同集成度SI认M硬X射线剂量增强效应研究“ 郭红霞1“’ 陈雨生1 韩福斌1 罗剑辉1 杨善潮1 龚建成1 谢亚宁2 黄宇营2 何伟2 胡天斗2 l(西北棱技术研究所 西安710024) (+斗‘ A ‘ 2(中同科学院高能物理研究所北京l(】(】()39) 摘要 给出了不同集成度16K4Mb随机静态存储器sRAM在钴源和北京同步辐射装置BsRF 3wl白光束线辐照的实验结果；通过实验在线测得sRAM位错误数随总剂量的变化，给出相同辐照 剂量时20一100kevx光辐照和co。7射线辐照的剂量损伤效应的比例因子；给出集成度不同的 sRAM器件抗丫射线总剂量损伤能力与集成度的关系；给出不同集成度sRAM器件的x射线损伤 阌值．这些结果对器件抗x射线辐射加固技术研究有重要价值 关键词 静态存储器 x射线 剂量增强效应 同步辐射 引言 能量的升高急剧减小3．它是剂量学与微电子学相 结合的结果，根据我们的研究，剂最损伤增强因子小 运行在强辐射环境中的电子系统需考虑抗x 于剂量增强因子” 射线总剂帚加固问题能量在30100kev的x射我们开展了不同材料界面的x射线剂量增强 线穿透力强，不易屏蔽，}i入射在不同原子序数材料 效应研究“，稳态、瞬态x射线辐照cMOs器件剂量 的界面时，在靠近界面处几十Ⅲ，内的低原子序数 增强效应研究”’，和大规模集成电路浮栅器件 材料中产生较强的剂量增强效应”．x射线产生的 剂量增强效应不仅与射线的能量、还与器件的结构、 实验研究本文给出了cMos工艺制成的不同集成 RandomAccessMem— 金属封装类型有关器件中引起剂量增强的重金属 度随机静态存储器sRAM(static 6264(8k×8 主要是芯片的金属化部分及封盖的材料“’…重金 orv)，包括16kb6116(2k×8位)、64kb 位)、256kb62256(32k×8位)、lMb628128(128k×8 属与器件灵敏区(主要成分为si0，或s-)构成原子 序数差异很大的界面．高原子序数材料对x射线有 位)、4Mb Radlation 较大的光电截面，其光电效应反应截面为“。。cc 射装置BsRF(B州ji“gsynchmtron facility) ∥，其中z为原子序数x射线在高原子序数材 3w1白光束线辐照的实验结果；比较了两种辐照源 料中将产生大量的二次电子，部分次级电子进入交 的实验结果及其损伤异同性通过实验，在线测得 界面的半导体灵敏区中，明显增强了灵敏区的电离 sRAM位错误数随总剂量的变化，给出相同累积剂 总剂量，这就是“剂量增强”效应剂量增强将造成 量时x光辐照和7射线辐照的总剂鼍效应损伤等 在相同的辐射剂量下，x射线对器件和集成电路的 效关系；给出集成度不同的sRAM(16k一4M)器件抗 损伤较7射线要严重得多，即“剂量损伤增强”，其原 总剂量损伤能力与集成度的关系；给出不同集成度 因是x光能量在几个MeV以下