单片机系统中法拉电容的数据保护研究.pdfVIP

单片机系统中法拉电容的数据保护研究 引 言 在测量、控制等领域的嵌入式系统应用中，常要求系统内部和外部数据存储器(RAM)中的数据 在电源掉电时不丢失，重新加电时 RAM 中的数据能够保存完 好，以保证系统稳定、可靠地工作和 数据信息处理的安全。这就要求对系统加接掉电保护措施。 掉电保护可采用以下三种方法： 一是加接不问断电源。由于这种方法体积大、成本高，对单片机系统来说，不宜采用。 二是采用 EEPROM 来保存数据。但由于其读写速度与读写次数的限制，使得 EEPROM 不能完全代 替 RAM。 三是采用备份电池，掉电后保护系统中全部或部分数据存储单元的内容。 显然，上述第三种方法是比较可行的。实际应用中，往往采用内置锂电池的非易失性静态随机 存取存储器(nonvolatile SRAM)。例如 Dallas 半导体公司的 DS1225， 由于采用锂电池作为存储 器备份电源，数据可以完好保存 10 年以上。但这种方案的缺点是成本高，且锂电池会造成环境污 染。 法拉电容也叫超级电容器，双电层电容，其体积小、容量大、电压记忆特性好、可靠性高。与 充电电池相比，具有充电时间短、功率密度高、使用寿命长、低温 特性好及无环境污染等优势。 在数据保护电路中采用法拉电容取代电池作后备电源，在提高系统可靠性、延长寿命、降低设备成 本和维护成本等方面，有十分重要的意义。 本文将通过一个设计案例，具体介绍法拉电容在单片机系统的 RAM 数据保护中的应用，为嵌入 式系统中 RAM 数据保护提供一种可行的参考方法。 某一采用 UT6264C-70LL 作为 RAM 的单片机系统，在系统掉电后，要求 RAM 的数据后备时间达 到 5 天。 1 硬件设计 采用法拉电容作为 RAM 后备电源，法拉电容后备时间的典型计算公式为： 式中：C(F)为法拉电容的标称容量，Umin(V)为电路中的正常工作电压，Umin(V)为电路能工作 的最低电压，t(s)为电路中后备时间，I(A)为电路的负载电流。 UT6264CSC-70LL 的典型数据 保持电流为 1 μA，工作电压为 5 V，数据保持所需电压最低为 2 V。取 0.1 F 的法拉电容，计算 得到 RAM 的数据后备时间为 3．35 天。而实际上，当 RAM 的电源电压降低时，其数据保持电流将减 小，因而后备时间可以延长。 另外，电源出现波动时，RAM 的片选引脚、写使能引脚及数据 线端口也容易引入干扰或不正常的控制时序，从而破坏 RAM 中的数据。因此，需要通过电路设计， 确保电源不正常时读写控制端口时序可控，从而增强 RAM 数据的安全。电路原理图如图 1 所示。 图 1 电路原理图 当电源正常时，5 V 电源 VCC 通过快速整流二极管 D1 给 RAM(U2：UT6264)供电，并通过 R1 给 法拉电容(C1：FMOH104Z)充电。掉电时，D1 截止，法拉电容 C1 作为备份电源，通过 R1 为 U2 供电， 保证 RAM 中数据不消失。 在掉电过程中或电源出现波动时，为了增强 RAM 数据的安全性，采用了专用电源监控芯片(U3： IMP706)，提供系统的监控功能。上电、掉电和电网电压过低时会输出复位信号，同时还能跟踪 1．6 s 的定时信号，为软件运行提供看门狗定时器(watchdog timer)防护。当电源电压掉至约 4．74 V 时，U3 向 CPU(U1：AT89S52)输出掉电信号(PW_DN)，CPU 进行掉电应急处理和保护现场，不向 RAM 芯片进行任何读写操作。当电源电压进一步掉至 4．4 V 时，U3 产生复位信号，CPU 被复位，同时 RAM 芯片 U2 的片选引脚 CE2 也被置为低电平，确保 U2 不被读写操作。 2 软件设计 本案例电路的地址定义是：RAM 地址范围(8 KB)为 0000H～1FFFH；看门狗定时器控制