微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究.pdfVIP

第 卷第 期 压 电 与 声 光 . 0 e. e0 .jm :j 年 月 ## ) !’l12l}l593’57r 52y7922!9’57 4wpg## 5555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555 文章编号!$##.%./.(##*#0%#’%#0 微波退火法制备多晶硅薄膜的电学特性研究 $+ $ $ $ $ $ 饶 瑞 徐重阳 曾祥斌 王长安 赵伯芳 周雪梅 + + + + + 华中科技大学 电子科学与技术系 武汉 华中科技大学 激光技术国家重点实验室 武汉 ($1 + .0##/.21 + .0##/.* 摘 要 为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化 低温 快速制备高质量 ! + (3 )##4 *, 5 多晶硅薄膜已成为研究热点 文中将微波加热技术应用于金属诱导 薄膜横向晶化工艺中 成功实现了低温快 - % + 678 速制备多晶硅薄膜 通过薄膜电阻率的测试 分析了多晶硅薄膜的电学特性 - + - 关键词 微波退火 低温晶化 多晶硅薄膜 电阻率 ! 2 2 2 中图分类号! 0#.1#;; 文献标识码! 9: =?@ABC=D?E?DFGC@HIFEDJEGIKDBLFDABMKBIAEDANGIIJCF =JIJEBCOPJCQJIR SATJEDBUGVFWCCFGIJCX $+ $ $ $ $ $ + ^ + ^ + ^ + ^ + ^ YWZ Y?J [\ ]PBCXAGCX ]H_‘ [JGCXSJC aW_‘ bPGCXGC ]cWZ dBMGCX ]cZ\ [?FRFJ ($e e + + .0##/.+ 2 fghijklmgniojp8nq7n8gpngr 9gnspjmjtu vw6xsjptyp8zgoq8iujk7n8gpngr 9gnspjmjtu {ws6p 5s8p6 e e + + .0##/.+ * 7i6ig|gu}6~ jk}6qgo9gnspjmjtu vw6xsjptyp8zgoq8iujk7