指数掺杂GaAs光电阴极量子效率的理论计算.pdf

第56卷第5期2007年5月 物理学 报 SINICA 1000．．329012007156(05)12992．．06ACTAPHYSICA @2007 Chin．Phys．Soe． 指数掺杂GaAs光电阴极量子效率的理论计算* 邹继军1’2’ 常本康1’’ 杨 智1’ 1)(南京理工大学电子工程与光电技术学院，南京210094) 2)(东华理工学院电子工程系，抚州344000) (2006年lO月2日收到；2006年10月14日收到修改稿) 将GaAs光电阴极发射层掺杂浓度由体内到发射表面从高到低的进行指数掺杂，能在发射层形成一个恒定的 内建电场，有利于光电子的逸出．在考虑内建电场的作用下，通过建立和求解少数载流子所遵循的一维连续性方 程，得到了反射式和透射式指数掺杂阴极的量子效率公式，并利用这些公式对其量子效率进行了理论计算和仿真． 计算结果显示发射层指数掺杂能较明显的提高阴极的量子效率，与均匀掺杂阴极相比，能使反射式阴极积分灵敏 度提高约20％，透射式阴极提高30％以上．指数掺杂提高阴极量子效率的主要原因与内建电场有关，光电子在内建 电场作用下以扩散加漂移的方式到达阴极表面，从而减小了后界面复合速率对阴极的影响，同时提高了阴极的等 效电子扩散长度． 关键词：指数掺杂，内建电场，能带结构，量子效率 PACC：7960，7280E，7360L，7320A 采用变掺杂(梯度掺杂)结构，即由GaAs材料体 1．引 言 内到发射表面掺杂浓度由高到低的进行掺杂，能较 明显地提高阴极的量子效率，这一点已经得到我们 GaAs光电阴极作为一种负电子亲和势光电阴研究成果的初步证实¨0’1川．这主要是由于在这种掺 极，在高性能微光像增强器、高能物理、自旋电子学 杂结构下，在不同掺杂浓度区域交界面处，会形成一 等众多领域获得了广泛的应用¨-5】，同时实际应用 个由体内到表面的向下能带弯曲区，能带弯曲区对 也对GaAs光电阴极的量子效率和稳定性提出了越应一个正向的内建电场，会大大提高体内电子到达 来越高的要求．GaAs光电阴极量子效率的提高主要表面的输运效率，从而提高阴极的量子效率．变掺杂 依赖于材料性能和制备工艺两个方面，人们在这些 阴极的内建电场是自然形成的，不同于外加电场的 方面都进行了大量的研究工作№’71．激活工艺目前主 场助阴极n引，这有利于阴极的制备．但变掺杂结构 要采用的仍是“高．低温两步激活法”哺1，只是对于不 存在各种不同的掺杂方式，从而量子效率也会不同， 同外延方法生长的阴极材料在激活的具体工艺细节 如果某种掺杂方式能在阴极发射层内形成一个均匀 上进行了优化．而影响阴极材料性能的主要因素是 (恒定)的内建电场，将对电子的逸出非常有利，指数 外延生长工艺和掺杂浓度．在外延生长方面，随着技 掺杂正好能形成这样的电场．本文推导了指数掺杂 术的不断进步，生长的阴极材料在电子扩散长度和 阴极的量子效率公式，并对其进行了理论计算和仿 界面复合速率等性能参数方面都有了明显的改善， 真研究． 在掺杂浓度方面，人们研究发现获得最高量子效率 的掺杂浓度范围在8×10埽一l×1019／cm3之间归]．这 2．指数掺杂阴极能带结构及内建电场 些都对提高GaAs光电阴极的性能起了重要作用，但 在阴极材料的掺杂结构对阴极的性能影响方面则很 梯度掺杂阴极的内建电场是非恒定的，其能带 少有人进行深入地