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数模混合电路衬底耦合模型研究.pdf
第30卷第2期 微电子学 V01．30，№2
2000年4月 Microelectronics Apr．2000
文章编号：1004—3365(2000)02—0088—04
数模混合电路衬底耦合模型研究
刘庆华，胡 俊，吴 智，黄均鼐
(复旦大学 电子工程系CAD室，上海200433)
摘 要： 提出了数模混合集成电路衬底耦合噪声的一种建模方案：将集成电路芯片的衬底划分为
SPICE模拟，分析数模混合集成电路中的衬底噪声。用此模型模拟了两个数模混合集成电路的衬
底耦合噪声，指出了在模拟电路关键器件周围加保护环是减少衬底耦合噪声的一种有效途径。
关键词： 数模混合集成电路；衬底耦合；数值模拟；Voronoi图
中图分类号：TN453 文献标识码：A
A ontheSubstrate ModelforMixed IC’S
Study Coupling
LIU Zhi，HUANG
Jun，WU Jun—nai
Qing—hua，HU
(CAD 800433)
University，Shahghai
Laboratory，Dept．ElectronicEngineering。Fudan
Abstract：A for the of noiseinCMOSmixed
techniqueassessingimpactsubstrate—coupledswitching
modeling
7 elementRCisobtainedfromthecircuit
ICSis this substrate lay—
digital／analogpresented．Inapproach．thelumped
out a constructcalledVoronoi after RCand thesubstrateRCnet
usinggeometric diagram．Andcomputingmapping
be tO the
to circuit7Snetlist，thenewnetlistcan simulatedSPICEsimulator
original using analyze
inmixed isfoundthat arounddevicesof circuitsisanefficient
noise D／AIC’S．It placingprotectivering key analog
toreducethesubstratenoise．
way
words：MixedD／AIC；Substrate simulation；Voronoi
Key couplin
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