氨热法制备高质量大尺寸块状氮化镓单晶的研究.pdfVIP

氨热法制备高质量大尺寸块状氮化镓单晶研究 刘南柳1,2路慧敏2丁晓民1，张国义1,2 1.东莞市中镓半导体科技有限公司，广东 东莞，5235002.北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心 人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京100871 摘要：宽带隙氮化镓 (GaN)单晶材料可应用于制备高频、高功率、耐高温的微电子器件，实现发光 波长覆盖整个可见光波段的光电子器件，在航空航天军事领域以及日常照明与显示等商业领域具有巨大的 应用前景。目前较成熟的制备GaN材料的氢化物气相外延技术(HVPE)与金属有机化合物化学气相沉积 (metalorganicchemicalvapordeposition，MOCVD)外延技术都是在异质衬底上生长的外延技术，由 于衬底与外延层间的位错与热膨胀失配导致外延生长的晶体材料位错密度较高出现翘曲裂纹等现象，影响 器件的工作效率及寿命，制约了其在半导体电子领域的应用。因此迫切需要高质量的块状单晶材料，剥离 出GaN衬底从而实现同质外延技术。本论文分析研究了可望实现工业化量产的氨热法制备高质量大尺寸块 状单晶材料的国内外研究现状、面临的挑战及其可观的应用前景。 关键词：氨热法；块状单晶；氮化镓 Abstract: Wide-band-gapGalliumnitridehaslargepotentialapplicationsinmicroelectronicsforaerospace andaviationtechnologiesduetoitshighfrequency,highpower,andhighthermalstability,andinoptoelectronics, suchaslightinganddisplays,becausetheirlargedirectbandgapcoversthewholespectrum.Galliumnitridewith highdislocationdensityandmosaicstructureiscurrentlyproducedbyhydridevaporphaseepitaxy(HVPE),and metalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD),duetolatticeandthermalmismatchbetweenforeign substratesandGaNepitaxiallayer.Thesedrawbackswouldinfluencetheperformancesofthedevices,andlimits itsapplicationinsemiconductorelectronics. Homoepitaxygrowthishighlydemandedbyusingnativesubstrates slicedfrombulkGaNcrystal.TheammothermalmethodisthepromisingtechniqueforgrowthGaNbulkcrystal withexcellentqualityandlargesize.Inthispaper,theammonthermalmethodanditscurrentprogress,the possibilityforcommercialapplicationsandchallengesarediscussed. Keywords:Ammonothermalmethod;bulkcrystals;galliumnitride yanoevapC 外延层间日 03cm-2，X射 订）只有 )m[18,19]。这些 去生长块 ！ ] 生近热平 · Lj， 两者的彩 剂的几利 的控制既 laySlCO-Cllemlc~ ~fGaN[J].Jour i11]Dwilinskii 3hoto-luminescc betweenstrt underhigh JournalofC [RR]l~hrontr ：要研究方l E光电子器1