晶圆减薄机的研发及应用现状.pdfVIP

鼍 电 字 工 业 芎 用 设 吝 半导体材料加工与设备 晶圆减薄机的研发及应用现状 张文斌 (北京中电科电子装备有限公司，北京 100176) 摘 要 ：介绍了硅 片超精密磨削加工工艺的原理和特 点，报告 了国内外硅 片超精密磨 削技术与 装备的研究与应用现状 ．强调 了我 国开展大直径硅片超精密磨 削技术和装备研 究的必要性。 关键词：硅片；磨削；减薄机 中图分类号 ：TN305 文献标识码 ：B 文章编号 ：1004-4507(2011)09．0025—03 TheDevelopmentandStatusofBack ThinningM achine ZHANGW enbin (CETCBeijingElectronicEquipmentCo．，LTD，Beijing100176) Abstract：Inthispaper，theprincipleandcharacteristicsofultraprecisiongrindingtechnologiesused in IC manufacturingprocessare introduced，thepresentstautsand perspectivesofthe advanced grindingtechnologiesandequipmentsappliedwaferprocessingandbacksidethinningarereported， andthenecessity and importanceofresearchingand developingadvanced grindingtechnology and equipmentforlargediameterwafersinourcountryisemphasized． Keywords：Siliconwafer；Grinding；Grindingmachine 早在 20世纪 70年代 ，开始采用旋转工作台 的中心位置 ，硅片和砂轮绕各 自的轴线回转，进行 磨削法进行直径 100mm 以下硅片的背面减薄。 切入磨削。磨削深度 t与砂轮轴 向进给速度f,l 随着硅片直径的增大，对硅片背面减薄的要求越 硅片转速 凡 的关系为： 来越高，但是旋转工作台磨削技术具有一定的局 tw=HtZ (1) 限性 。 1984年 S．Matsui提 出了硅片 自旋转磨削 (waferrotatinggrinding)法，并开始逐渐取代旋转 工作台磨削 (见图 1)。 硅片 自旋转磨削法采用略大于硅片的工件转 台，硅片通过真空吸盘夹持在工件转台的中心，杯 形金刚石砂轮工作面的内外圆周 中线调整到硅片 收稿 日期 ：2011-08—16 图 1In—feed磨 削示意 图 半导体材料加工与设备 电 子 工 业 专 用 设 菁 - 1硅片 自旋转磨削法的特点 削，提高减薄质量，通过减小砂轮轴 向进给速度实 现微小磨削深度，因此，要求设备的进给运动分辨 (1)可实现延性域磨削。在加工脆性材料 率小于 0．1Ixm，进给速度 1ixrn／min。另外，为了提 时，当磨削深度小于某一临界值 时，可 以实现延 高减薄工艺的效率，进给系统在满足低速进给的 性域磨削。通过大量试验表 明，Si材料 的脆性 一 前提下，要尽可能实现高速返回 (见图2)。 塑性转换 临界值约为 0．06 m。进给速度 厂控 制在 10~m／min，承片 台转速取 200r／min，则每 转切割深度可达到 0．05