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《半导体光电》2007 年 6 月第 28 卷第 3 期 杨兵初 等 : 　氮气中退火对 ZnO 薄膜结构与光学性能的影响 材料 、结构及工艺 氮气中退火对 ZnO 薄膜结构与光学性能的影响 杨兵初 , 高 　飞 , 刘晓艳 ( 中南大学 物理科学与技术学院,湖南 长沙 410083) 摘 　要 : 　采用直流磁控溅射法制备了 ZnO 薄膜 ,并将样品在氮气中进行了退火 。对样品的 表面形貌 、结构性能、发光特性 、透射光谱分别进行了检测 。结果表明:退火后 ,样品的结晶质量提 高 ,光致发光峰增强 ,在可见光范围内的平均透过率也有所增加 。计算表明:退火后 ZnO 薄膜的禁 带宽度略有减小 。这可能是氮掺入 ZnO 薄膜后 ,N 2p 与 O2p 形成杂化轨道 ,二者能带部分重叠 , 从而使价带变宽、禁带变窄 。 关键词 : 　直流磁控溅射 ; ZnO 薄膜 ; 氮气中退火 中图分类号 : O484 . 4 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 5868 (2007) 03 - 0375 - 04 Eff ect of Anneal ing in N on Structure and Optical Properties of ZnO Thin Fil ms 2 YAN G Bin gchu , GA O Fei , L IU Xiaoyan ( College of Physics Science and Technology , Central South University , Changsha 410083 , CHN) Abstract : 　ZnO t hin film s were p rep ared by DC reactive magnet ron sp ut t erin g and t hen annealed in N2 . The charact eri stic s of it s surf ace morp holo gy , micro st r uct ure s ,lumine scence ,an d t ran smi ssion sp ect r um were st udied re sp ectively . The eff ect of annealing in N2 on t he st r uct ure and op tical p rop ertie s of ZnO t hin film s wa s st u died . The exp eriment al re sult s show t hat aft er annealing ,t he qualit y of ZnO t hin film s i s enhanced obviou sly ,t he int en sit y of PL and t he average t ran smi ssion in vi sible light increa se a s well . It i s found t hat t he ban d gap of ZnO t hin film s beco me s narrow to a cert ain ext ent . It might be ZnO dop ed nit ro gen an d for m s N 2p an d O2p hybrid orbit s. The se hybrid one s overlap p art ly in ener gy level s ,w hich lead s to wider valence ban d and nar rower band gap . Key words : 　DC reactive magnet ron sp ut t erin