加速器模拟单粒子效应的研究.pdfVIP

加速器模拟单粒子效应研究 李保权侯明东1刘杰1朱光武王世金粱金宝 孙越强张微翟应应黄红锦沈思忠高平 中国科学院空间科学与应用研究中心北京100080 摘要本论文介绍了加速器模拟单粒子效应试验的基本试验方法，并选择了几种不同级别的星 上常用的半导体存储器用2．2GeV的Ne离子进行了辐照，比较研究了这几种芯片对单粒子效应 的易感性。 关键词加速器摸甜单粒子效应 1 l简介 卫星运行的空间环境并非绝对的真空环境，其中存在者大量的宇宙射线、空间碎片、原子氧 等，复杂的空间环境常常在航天器中产生各种辐照效应。对在轨航天器的安全运行构成极大的威 胁，尤其是宇宙射线中的高能重离子，由于其阻止本领大，容易引发航天器中半导体器件发生单 粒子效应，造成逻辑翻转、器件锁定，甚至烧毁，严重者导致卫星失效。宇宙射线引发航天器失 效的事件在航天史屡见不鲜。 由于航天事故的频繁出现和对空间环境的进一步认识，单粒子效应的研究受到各国航天界的 普遍关注，在世界范围内开展了广泛而系统的研究。我国利用“实践五号”科学卫星，首次进行 星上单粒子效应全面系统研究。为保证单粒子效应仪器上天后准确可靠工作，这些仪器在兰州重 离子加速器上进行了充分的试验，并为加速器模拟单粒子效应试验积累了～些试验方法。也为了 解一些星上常用器件抗辐射性能提供了宝贵资料。 2实验过程 2．1辐照离子的种类及能量选择 有去除封装的器件进行检测。 单粒子效应测试一般要求入射离子的能量在其能损曲线的负斜率部分，以使离子的最大能损 值落在器件的灵敏区中，这样，离子在灵敏区中沉积虽大的能量，产生更多的电子．空穴对，使 器件发生翻转的几率更大。图1给出了由TRIM程序计算得到的Ne离子在Si中能损曲线(电子 我们在此次实验中，为了使得Ne离子的最大能损值沉积在器件的灵敏区里，考虑器件的封 装厚度(陶瓷封装，厚度为843“m)及其它相关能损(Ni窗，空气层，电离室，AI降能片的 中科院近代物理研究所兰州730000 如J 5．3MeV／mg／em‘。 ^ t 茜 E 专 三 卜_ 当 能量(keV) 图1．Ne在si中的能损曲线 2．2辐照器件的选择 试验中有针对性的测试一些静态随机存储器(SRAM)，为了有实际意义，更具代表性和可 比性，我们选择了有不同厂家生产、不同级别、不同容量的存储器进行测试，测试器件及其特性 列于表1中。 表1．测试器件及其特性 器件 厂家 级别 容量 TOSHIBA 128K×8 SRAMTC551001 商业级 SRAM6l16 HITACHI 商业级 2K×8 SRAM6264 HITACHI 商业级 8K×8 SRAM62256HITACHI 商业级 · 32K×8 SRAM7164 IDT 军级 8K×8 SRAM71256 IDT 军级 32K×8 这些存储器都是卫星上较为普遍使用的，在公开发表的刊物上，有关这些器件的单粒子效应 测试数据报道较少，既使已经报道的数据可靠性如何，还需进一步的验证。所以通过对这些器件 辐照