溶剂蒸汽辅助制备超薄P VP栅介质膜及性能研究.pdfVIP

年第 期( )卷 １３１４０ ２０１４ １３ ４５ 文章编号: ( ) １００１-９７３１ ２０１４ １３-１３１４０-０４ 溶剂蒸汽辅助制备超薄PVP栅介质膜及性能研究∗ , , , 冷华星 张玲珑 滕支刚 钟传杰 ( , ) 江南大学 物联网工程学院 江苏 无锡 ２１４１２２ : 了 / .２ 摘 要 使用溶剂蒸汽辅助制备超薄 栅介质 ５６６ nF cm 　 　 PVP , ( / , 膜 得到了低漏电流密度 E＝１ MV cm 时 为 １．１２× 实 验 －９ ２ －９ ２ ２　 　 / ; / , / )、 １０ A cm E＝２ MV cm 时 为５．４２×１０ A cm , (平均分子量 )、 溶剂和 膜厚为１０ nm 的超薄PVP栅介质膜 其单位面积栅电 用 PVP ２５ ０００ PGMEA ２ / . , , , 容达到了５６６ nF cm 此外 AFM 测试表明溶剂蒸 PMF交联剂配制前驱液 交联剂质量分数为 １％ PVP , ( ) 汽辅助退火使薄膜表面粗糙度 由 降到了 质量分数为 和 两种 使用 型 硅基片作 ０．３６ nm １％ ２％ P １００ , ( ) . , ０．２１ nm 空间电荷限制电流法 SCLC 的分析结果表 为衬底 首先在无水乙醇蒸汽环境中完成旋涂过程 . , 明薄膜体内陷阱密度减少了２６％ 接着进行苯甲醚蒸汽辅助退火 完成后再进行 ２００℃ : ; ; ; ; . 关键词 　PVP OTFT 聚合物绝缘栅 溶液法 溶剂 真空退火 采用喷墨印刷工艺在进行电学性能测试的 －３ ２ . () 蒸汽辅助退火 样品上制备面积为 ０．３×１０ cm 的银电极 图１ a : : , 中图分类号 　TM２１５．３ 文献标识码 A 为辅助旋涂装置示意图 旋涂